类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：150A
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：450A
　　最大功耗（Pd）：200W
　　导通电阻（Rds(on)）：1.3mΩ（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：160nC（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至+175°C

SU2013150YLB具有多个关键特性，使其在高频功率转换应用中表现出色。
　　首先，该MOSFET采用了先进的沟槽技术，使其具有极低的导通电阻（Rds(on)），从而显著降低了导通损耗。这种低导通电阻特性对于提高电源转换效率至关重要，尤其是在高电流工作条件下。
　　其次，SU2013150YLB拥有较高的电流承载能力，其最大连续漏极电流可达150A，同时在脉冲条件下可承受高达450A的漏极电流。这使得该器件适用于高功率密度的设计，例如高性能DC-DC转换器和大功率电机驱动电路。
　　此外，SU2013150YLB的封装设计（TO-252）优化了热性能，确保在高功率操作时能够有效散热，从而提高整体系统的可靠性。其表面贴装封装形式也便于PCB组装，适合自动化生产流程。
　　最后，该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高开关速度，适用于高频开关电源系统。同时，其宽广的工作温度范围（-55°C至+175°C）使其能够在恶劣环境中稳定运行。

SU2013150YLB广泛应用于多个领域，包括但不限于以下几种主要场景：
　　在电源管理系统中，SU2013150YLB由于其低导通电阻和高电流承载能力，常用于DC-DC转换器的设计，特别是在同步整流拓扑中表现优异。该器件能够有效提升转换效率，降低发热，适用于服务器电源、通信设备电源和工业电源等场景。
　　在电机控制系统中，该MOSFET可用于H桥驱动电路，为直流电机或无刷电机提供高效的功率驱动。其快速开关特性和高耐流能力使得电机控制更加精确和高效。
　　此外，SU2013150YLB也适用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制电路。其低导通压降和高耐压特性能够有效减少能量损耗，延长电池的使用寿命。
　　其他应用还包括高功率LED驱动、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器以及电动汽车（EV）充电模块等高功率电子系统。

SiS6286N, IRF1324S-7PPBF, NexFET CSD19536KTT, STP150N3LLH6