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IS25LQ512B-JNLE-TR 发布时间 时间:2025/9/1 8:27:50 查看 阅读:6

IS25LQ512B-JNLE-TR 是 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的一款串行闪存存储器芯片,属于 SPI NOR Flash 类型。该器件具有 512 Kbit 的存储容量,支持标准的 SPI 接口通信,适用于嵌入式系统、工业控制、网络设备、消费电子等多种应用场景。IS25LQ512B-JNLE-TR 采用 8 引脚 WSON 封装,具备高性能、低功耗和高可靠性的特点。

参数

容量:512 Kbit
  接口类型:SPI
  工作电压:2.3V 至 3.6V
  最大时钟频率:80 MHz
  读取电流:8 mA(典型值)
  待机电流:10 nA(典型值)
  封装类型:8-WSON
  温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

IS25LQ512B-JNLE-TR 是一款高性能、低功耗的串行 NOR Flash 存储器,其核心特性包括支持 SPI 接口协议,具备高速读取能力,最大时钟频率可达 80 MHz。该芯片支持多种读写模式,包括单线、双线和四线模式,提供灵活的数据传输方式,适用于对存储速度和效率有要求的应用场景。
  此外,IS25LQ512B-JNLE-TR 的工作电压范围为 2.3V 至 3.6V,能够在多种电源条件下稳定运行,且具有极低的待机电流(典型值为 10 nA),有助于降低系统功耗,延长设备续航时间。其 8-WSON 封装形式占用 PCB 面积小,非常适合空间受限的设计,如便携式电子设备和小型嵌入式系统。

应用

IS25LQ512B-JNLE-TR 广泛应用于各类嵌入式系统和智能设备中,尤其适用于需要代码存储、固件存储或数据记录的场景。例如,在工业自动化控制系统中,可用于存储程序和配置数据;在通信设备中,可作为启动代码存储器;在智能仪表、传感器节点和物联网终端中,可用于存储设备固件或用户配置信息。
  此外,该芯片还适用于消费类电子产品,如智能穿戴设备、家用电器和智能门锁等,为这些设备提供可靠的非易失性存储解决方案。由于其低功耗特性,也非常适合电池供电设备使用。在汽车电子领域,该芯片可用于存储车载控制模块的程序代码或校准数据,满足车载应用对稳定性和可靠性的高要求。

替代型号

W25Q80JV, MX25R512F, SST25VF512

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IS25LQ512B-JNLE-TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量512Kb
  • 存储器组织64K x 8
  • 存储器接口SPI - 四 I/O
  • 时钟频率104 MHz
  • 写周期时间 - 字,页800μs
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电2.3V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 105°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装8-SOIC