SU128M16T69MLFMCK-PT 是一款由 Alliance Memory 公司生产的高性能、低功耗的异步静态随机存取存储器(SRAM)模块,容量为128Mbit(16MB),组织形式为16位总线宽度。这款SRAM模块广泛应用于需要高速数据访问和低延迟的嵌入式系统、工业控制设备、通信设备以及汽车电子系统中。该芯片的封装形式为TSOP,适用于标准的表面贴装工艺,便于集成到各种高密度电路板设计中。
容量:128Mbit
组织形式:x16(16位)
电源电压:1.65V - 3.6V
最大访问时间:69ns
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装形式:TSOP
引脚数:54
接口类型:异步
最大工作频率:143MHz(在3.3V供电下)
封装尺寸:标准TSOP尺寸
功耗:低功耗CMOS工艺
SU128M16T69MLFMCK-PT 是一款基于先进CMOS工艺制造的高速SRAM模块,具有优异的性能和可靠性。其最大访问时间为69ns,能够在高速系统中提供快速的数据读取能力,适用于需要大量数据缓存和高速处理的应用场景。芯片支持宽电压范围(1.65V至3.6V),适应多种电源管理需求,并具有低待机电流,有助于降低系统整体功耗。
该SRAM模块采用异步接口设计,无需时钟信号控制,简化了时序设计,提高了系统的稳定性。其TSOP封装形式不仅节省空间,还具备良好的热性能和电气性能,适用于高密度PCB布局。此外,芯片支持工业级温度范围(-40°C至+85°C),可在各种恶劣环境下稳定运行,确保长期可靠性。
内置的自动省电模式可在数据非活跃状态下自动进入低功耗状态,进一步延长便携式设备的电池寿命。同时,该芯片具备较强的抗干扰能力,适用于电磁环境复杂的工业和车载应用。
SU128M16T69MLFMCK-PT 主要应用于需要高速存储和低功耗的嵌入式系统,如工业控制器、网络设备、通信基站、汽车信息娱乐系统、医疗设备以及智能仪表等。由于其异步接口和宽电压特性,也非常适合用于旧款系统的升级或替代设计,以提高系统性能和能效。此外,该SRAM模块也可用于需要临时数据缓存的图像处理、视频采集和实时数据采集系统中。
ISSI IS61WV12816BLL-6T、Cypress CY7C1512KV18-69BIR2、Micron MT55L25616A2B4-6A