RB5P0090M 时间：2025/5/7 9:32:11 阅读：5

RB5P0090M是一种N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效率和低导通损耗的场景。该器件采用TO-220封装形式，适合于开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等应用。它具有较低的导通电阻和良好的开关特性，能够在高频工作条件下提供稳定的性能。

参数

型号：RB5P0090M
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vdss)：90V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：5A
　　导通电阻(Rds(on))：1.8Ω（典型值，在Vgs=10V时）
　　总功耗(Ptot)：63W
　　工作温度范围(Ta)：-55℃ 至 +150℃
　　封装形式：TO-220

特性

RB5P0090M具备出色的电气特性和可靠性，能够满足多种工业和消费类电子应用的需求。
　　1. 低导通电阻：在给定的工作电压范围内，其Rds(on)非常低，从而降低了导通损耗，提高了整体效率。
　　2. 高速开关能力：该器件具有快速的开关速度，适用于高频电路设计。
　　3. 稳健的保护机制：内置过热保护功能，当芯片温度超过安全阈值时会自动限制电流输出，防止损坏。
　　4. 良好的热性能：TO-220封装提供了高效的散热路径，确保长时间稳定运行。
　　5. 宽泛的工作温度范围：无论是低温还是高温环境，RB5P0090M都能保持可靠的性能。

应用

RB5P0090M非常适合以下应用领域：
　　1. 开关模式电源(SMPS)：包括AC-DC适配器、充电器和分布式电源系统。
　　2. DC-DC转换器：用于降压或升压电路中，实现高效的电压调节。
　　3. 电机驱动：控制小型直流电机或步进电机的启停及速度调节。
　　4. 电池管理：在电池保护电路中用作开关元件。
　　5. 工业自动化设备：例如可编程逻辑控制器(PLC)、传感器接口和其他嵌入式控制系统中的负载切换。