STZC6.8N 时间：2025/12/25 13:39:20 阅读：21

STZC6.8N是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的齐纳稳压二极管，主要用于电压参考和电压钳位应用。该器件属于STZC系列，该系列提供多种标称齐纳电压值，封装形式为SOD-323（小尺寸表面贴装器件），适用于空间受限的便携式电子设备。STZC6.8N的标称齐纳电压为6.8V，允许在一定的工作电流范围内维持稳定的输出电压，从而为电路提供可靠的电压基准或过压保护功能。该器件采用硅半导体材料制造，具有良好的热稳定性和长期可靠性。其小型化封装不仅节省PCB布局空间，还便于自动化贴片生产，广泛应用于消费类电子产品、通信设备、工业控制系统以及电源管理模块中。STZC6.8N的工作原理基于反向击穿特性，在反向偏置条件下，当电压达到其齐纳电压（约6.8V）时，电流迅速增加而电压保持基本恒定，从而实现稳压功能。

参数

器件型号：STZC6.8N
　　齐纳电压（Vz）：6.8V @ 5mA
　　容差：±5%
　　最大耗散功率：500mW
　　工作温度范围：-65°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装类型：SOD-323
　　引脚数：2
　　反向工作电流（Iz）：典型测试电流5mA
　　动态阻抗（Zzt）：≤35Ω @ 5mA
　　温度系数：+2.5mV/°C（典型值）
　　结电容：≈75pF @ 5V

特性

STZC6.8N作为一款高性能的表面贴装齐纳二极管，具备优异的电压稳定性和温度适应能力。其核心特性之一是精确的电压调节性能，标称齐纳电压为6.8V，且在标准测试条件下（Iz = 5mA）具有±5%的电压容差，确保了在不同批次间的一致性与可替换性。该器件采用先进的硅扩散工艺制造，保证了低噪声、低漏电流和高击穿稳定性。在实际应用中，即使输入电压波动较大，STZC6.8N仍能通过快速响应反向击穿机制维持输出端电压基本不变，有效防止后级电路因过压而损坏。
　　另一个关键优势是其紧凑型SOD-323封装，尺寸仅为约1.7mm x 1.25mm x 1.0mm，非常适合高密度PCB设计，尤其适用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等对体积敏感的产品。尽管体积小巧，但该器件可承受最高500mW的连续功率耗散，结合良好的热传导设计，可在较宽负载条件下稳定运行。此外，其工作结温范围高达+150°C，表明其在高温环境下仍具备可靠的工作能力，适用于工业级应用场景。
　　STZC6.8N还表现出良好的动态阻抗特性，典型值低于35Ω，这意味着在负载变化时输出电压波动较小，提升了电压参考的精度。同时，其温度系数约为+2.5mV/°C，在6.8V附近处于相对理想的平衡点，兼顾了正负温度系数的抵消效应，减少了环境温度变化对稳压性能的影响。该器件的反向漏电流极低（通常小于1μA @ VR = 1V），有助于降低待机功耗，提升系统能效。综合来看，STZC6.8N以其高精度、小尺寸、高可靠性和良好电气特性，成为现代电子设计中常用的电压基准与保护元件之一。

应用

STZC6.8N广泛应用于各类需要稳定电压参考或过压保护的电子电路中。常见用途包括电源电压监控电路中的参考源，用于比较器或电压检测IC的阈值设定，确保系统在电压异常时及时响应。在低压直流供电系统（如3.3V、5V或12V电源轨）中，它可用于构建简单的并联稳压电路，为传感器、微控制器或其他模拟前端提供局部稳压支持。此外，由于其快速响应特性和稳定的击穿行为，常被用作瞬态电压抑制（TVS）辅助元件，配合其他保护器件吸收浪涌能量，提升系统的电磁兼容性（EMC）和抗干扰能力。
　　在信号调理电路中，STZC6.8N可用于限制输入信号幅度，防止过高电压进入敏感器件造成损伤，例如在音频接口、数据通信线路或ADC输入前端实现电平钳位。在电池供电设备中，该器件可用于构建低成本的电压监测模块，判断电池是否处于欠压或过充状态。其SOD-323封装也使其适用于自动贴片生产线，适合大规模量产产品使用，如智能家居设备、物联网终端、便携式医疗仪器和汽车电子模块等。此外，在工业控制领域，STZC6.8N可用于PLC输入模块的电平转换与保护，提高系统鲁棒性。总之，该器件凭借其多功能性和高可靠性，已成为众多电子系统中不可或缺的基础元器件。