STW9T36B 时间：2025/12/28 15:48:28 阅读：11

STW9T36B是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道功率MOSFET，主要用于高功率开关应用。该器件采用先进的沟槽式技术，提供低导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和电池供电系统等领域。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：36V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　漏极电流（ID）：9A（连续）
　　导通电阻（RDS(on)）：0.038Ω @ VGS = 10V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.048Ω @ VGS = 4.5V
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-220、D2PAK、PowerFLAT 5x6等

特性

STW9T36B具备多项优异特性，使其在功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。在VGS为10V时，RDS(on)低至0.038Ω，而在4.5V驱动条件下，该值为0.048Ω，使其兼容标准逻辑电平驱动电路。此外，该MOSFET具有高电流承载能力，在连续工作状态下可支持高达9A的漏极电流，并具备良好的热稳定性，能够在高负载条件下保持稳定运行。
　　该器件采用先进的沟槽式MOSFET结构，优化了电场分布，提升了开关性能和耐用性。同时，STW9T36B具有较低的栅极电荷（Qg），有助于减少开关损耗，使其适用于高频开关应用。其封装形式多样，包括TO-220、D2PAK和PowerFLAT 5x6等，便于适应不同的PCB布局需求和散热设计。
　　此外，STW9T36B还具备良好的抗雪崩能力，能够在异常工作条件下提供更高的可靠性。其宽泛的工作温度范围（-55°C 至 150°C）使其适用于各种恶劣环境，包括工业控制、汽车电子和消费类电源系统。

应用

STW9T36B广泛应用于各类功率电子系统，包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电源管理模块、电机驱动电路、电池充电器以及负载开关等。其低导通电阻和高效率特性使其成为高性能电源转换设备的理想选择。此外，该器件也适用于工业自动化控制、LED照明驱动、不间断电源（UPS）以及汽车电子系统中的功率开关控制。