您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > STW81100ATR-1

STW81100ATR-1 发布时间 时间:2025/7/22 5:42:13 查看 阅读:7

STW81100ATR-1 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能射频功率放大器(PA)芯片,主要用于4G LTE和5G通信系统中的基站和无线基础设施。该芯片基于先进的SiGe(硅锗)工艺制造,具有高线性度、高效率和优异的热稳定性,适用于多频段和多标准无线通信应用。

参数

工作频率范围:1.8GHz - 3.8GHz
  输出功率:27dBm(典型值)
  增益:28dB(典型值)
  电源电压:5V
  电流消耗:350mA(典型值)
  工作温度范围:-40°C至+105°C
  封装类型:QFN(4x4mm)

特性

STW81100ATR-1 射频功率放大器芯片具备多项显著特性,使其在现代无线通信系统中表现出色。首先,它的工作频率范围为1.8GHz至3.8GHz,覆盖了多个主流的移动通信频段,如Band 1、Band 3、Band 7、Band 40等,适用于多频段操作和全球部署。该芯片的典型输出功率为27dBm,增益为28dB,能够在低功耗条件下提供高效的信号放大能力,满足高线性度要求的应用场景。
  其次,STW81100ATR-1 采用先进的SiGe工艺制造,结合了硅的低成本和锗的高性能优势,具有良好的高频性能和稳定性。其高线性度设计确保在复杂调制信号(如OFDM、QAM)下仍能保持较低的EVM(误差矢量幅度),从而提高系统的数据传输质量和频谱效率。此外,该芯片还具备良好的热稳定性,在高负载条件下也能维持稳定的性能,适用于密集部署的无线基站和小型蜂窝网络。
  另外,STW81100ATR-1 的电源电压为5V,典型电流消耗为350mA,属于低功耗设计,有助于延长设备的使用寿命并降低整体功耗。其采用的QFN封装(4x4mm)不仅体积小巧,便于集成到紧凑型电路板中,而且具有良好的散热性能,进一步提升了芯片的可靠性和稳定性。该器件的工作温度范围为-40°C至+105°C,能够适应各种恶劣的工作环境,广泛应用于工业级通信设备。

应用

STW81100ATR-1 主要应用于4G LTE和5G NR无线基站、微型蜂窝网络(Microcell、Femtocell)、无线回传系统、频谱分析仪、无线测试设备以及其它需要高线性度和高效率的射频前端模块。该芯片适用于多频段、多标准的无线通信系统,能够满足高性能基站、用户终端设备和工业通信设备的需求。

替代型号

HMC1031BF10, MAX2082, ADRF5545A

STW81100ATR-1推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

STW81100ATR-1参数

  • 标准包装3,000
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭时钟/计时 - 时钟发生器,PLL,频率合成器
  • 系列-
  • 类型频率合成器(RF)
  • PLL
  • 输入时钟,晶体
  • 输出时钟,晶体
  • 电路数1
  • 比率 - 输入:输出3:2
  • 差分 - 输入:输出无/无
  • 频率 - 最大4.4GHz
  • 除法器/乘法器是/无
  • 电源电压3 V ~ 3.6 V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳28-VFQFN,28-VFQFPN
  • 供应商设备封装28-VFQFPN(5x5)
  • 包装带卷 (TR)