时间：2025/9/15 3:10:13
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PMDPB55XP 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率、高功率密度的电源应用设计。该器件采用先进的超结（Super Junction）技术，能够在保持高击穿电压的同时，实现极低的导通电阻（Rds(on)），从而减少导通损耗。PMDPB55XP 具有良好的热稳定性和耐用性，适用于如DC-DC转换器、AC-DC电源、电机控制以及各种开关电源（SMPS）等应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：650V
最大连续漏极电流（Id）：10A
导通电阻（Rds(on)）：0.45Ω（典型值）
最大功率耗散（Ptot）：125W
封装类型：TO-247
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
PMDPB55XP MOSFET采用先进的超结技术，显著降低了导通电阻，从而在高压应用中实现了更低的导通损耗。
该器件的高击穿电压（650V）使其适用于各种高电压环境，例如工业电源和电动汽车充电设备。
由于其优异的热性能和封装设计，PMDPB55XP能够有效散热，保证在高负载条件下长时间稳定运行。
此外，PMDPB55XP具有较高的开关速度，有助于提高电源转换效率，并减少开关损耗。
该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和短路耐受能力，增强了器件在极端工作条件下的可靠性。
其封装形式（TO-247）提供了良好的机械稳定性和易于安装的特性，适合用于PCB板上高功率密度的设计。
PMDPB55XP广泛应用于多种高功率电子系统中，包括但不限于：
? 开关电源（SMPS）中的高压功率开关
? DC-DC升压/降压转换器中的主开关器件
? AC-DC整流和功率因数校正（PFC）电路
? 工业电机控制和变频器系统
? 电动汽车充电模块和能量管理系统
? 太阳能逆变器和储能系统中的功率转换环节
? 电子负载、测试设备和高功率LED驱动器
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"STW10NK65M5",
"IPW65R045CFD7",
"FQP10N65C"
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