时间：2024/8/20 15:23:00
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该器件是一种基于创新的专有垂直工艺技术的N沟道MDmesh?V功率MOSFET，与意法半导体著名的PowerMESH?水平布局结构相结合。由此产生的产品具有极低的导通电阻，这在硅基功率MOSFET中是无与伦比的，使其特别适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。
VDSS评级更高
更高的dv/dt能力
出色的切换性能
易于驾驶
100%雪崩测试
针脚数：3
漏源极电阻：0.033Ω
极性：N-Channel
耗散功率：400 W
阈值电压：4 V
漏源极电压(Vds)：650 V
连续漏极电流(Ids)：69A
上升时间：22 ns
输入电容(Ciss)：9800pF 100V(Vds)
额定功率(Max)：400 W
下降时间：20 ns
工作温度(Max)：150℃
工作温度(Min)：-55℃
耗散功率(Max)：400W(Tc)
安装方式：Through Hole
引脚数：3
封装：TO-247-3
长度：15.75 mm
宽度：5.15 mm
高度：20.15 mm
封装：TO-247-3
RoHS标准：RoHS Compliant
含铅标准：Lead Free
REACH SVHC标准：No SVHC
产品生命周期：Active
包装方式：Tube
