STW75NF20 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率功率转换应用而设计,具有低导通电阻(RDS(on))、高耐压(200V)以及良好的热稳定性和可靠性。STW75NF20采用TO-247AC封装,适用于需要高电流和高功率密度的场合,如开关电源(SMPS)、电机驱动、逆变器、DC-DC转换器等。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(VDS):200V
栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID)@25°C:75A
导通电阻(RDS(on))@VGS=10V:0.045Ω(最大)
导通电阻(RDS(on))@VGS=4.5V:0.065Ω(最大)
漏极功耗(PD):300W
工作温度范围:-55°C ~ +175°C
封装形式:TO-247AC
STW75NF20具有多个显著的电气和热性能优势:
首先,其极低的导通电阻(RDS(on))可显著降低导通损耗,提高系统效率。在VGS=10V时,RDS(on)最大仅为0.045Ω,非常适合高电流应用。
其次,该器件的耐压能力高达200V,能够满足多种高压功率转换需求,提供良好的电压裕量和稳定性。
此外,STW75NF20采用了先进的制造工艺,具备出色的雪崩能量耐受能力,提高了器件在高压开关应用中的可靠性。
其封装形式为TO-247AC,具有良好的散热性能,能够在高功率下稳定运行。
该MOSFET还具有快速开关特性,减少开关损耗,适用于高频开关应用。
最后,其栅极驱动电压兼容标准逻辑电平(支持4.5V至10V驱动),便于与各种驱动电路配合使用。
STW75NF20广泛应用于多种高功率和高效率电子系统中。例如:
在开关电源(SMPS)中,作为主开关或同步整流器,显著提升转换效率;
在电机驱动系统中,用于构建H桥电路,提供高电流驱动能力;
在逆变器应用中,如太阳能逆变器或UPS系统,作为功率级开关器件;
在DC-DC转换器中,特别是在升压(Boost)和降压(Buck)拓扑结构中,实现高效能量转换;
还可用于工业自动化设备、电动工具、电动车控制器以及高功率LED照明系统等场合。
STW75NF20的替代型号包括STP75NF20、STW80NF20、IRF150等,这些器件在参数性能和封装形式上具有较高的兼容性,但使用前需详细核对数据手册以确保符合具体应用需求。