STW75N06是一款由意法半导体(STMicroelectronics)推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的技术制造,具有高功率密度、低导通电阻和优异的热性能,适用于多种电源管理和功率转换应用。STW75N06通常用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机控制、电池充电器以及工业自动化设备中。该MOSFET采用TO-247封装,便于散热并支持高电流操作。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(VDS):60V
最大漏极电流(ID):75A
导通电阻(RDS(on)):约10mΩ(典型值)
栅极电压(VGS):±20V
工作温度范围:-55°C至175°C
封装类型:TO-247
STW75N06具有多项优异的电气和热性能,使其在功率电子应用中表现出色。首先,其低导通电阻(RDS(on))显著降低了导通损耗,提高了系统效率。其次,该器件能够承受高达75A的连续漏极电流,适用于高功率密度设计。此外,STW75N06具备出色的热稳定性,能够在高温环境下稳定工作,并通过TO-247封装实现良好的散热性能。
该MOSFET的栅极驱动电压范围为±20V,支持常见的10V和12V栅极驱动电路,适用于多种控制方案。其快速开关特性减少了开关损耗,提高了动态响应能力。STW75N06还具有高雪崩能量耐受能力,增强了器件在瞬态条件下的可靠性。这些特性使其成为高效率电源转换系统中理想的功率开关器件。
STW75N06广泛应用于多种电力电子系统中。在开关电源(SMPS)中,它用于主开关或同步整流器,以提高整体效率并减少发热。在DC-DC转换器中,该MOSFET适用于升压(Boost)或降压(Buck)拓扑结构,支持高电流输出。在电机控制和驱动器中,STW75N06可用于H桥结构,实现高效、可靠的电机驱动。此外,该器件也常用于电池管理系统(BMS)、不间断电源(UPS)和工业自动化设备中的功率控制部分。由于其高可靠性和优异的导热性能,STW75N06还适用于需要长时间高负载运行的工业设备。
STP75N06Z, FDP75N06, IRF3710, FQP75N06