STW75N06 时间：2025/7/22 7:52:23 阅读：11

STW75N06是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的技术制造，具有高功率密度、低导通电阻和优异的热性能，适用于多种电源管理和功率转换应用。STW75N06通常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制、电池充电器以及工业自动化设备中。该MOSFET采用TO-247封装，便于散热并支持高电流操作。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大漏极电流（ID）：75A
　　导通电阻（RDS(on)）：约10mΩ（典型值）
　　栅极电压（VGS）：±20V
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-247

特性

STW75N06具有多项优异的电气和热性能，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。其次，该器件能够承受高达75A的连续漏极电流，适用于高功率密度设计。此外，STW75N06具备出色的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，并通过TO-247封装实现良好的散热性能。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围为±20V，支持常见的10V和12V栅极驱动电路，适用于多种控制方案。其快速开关特性减少了开关损耗，提高了动态响应能力。STW75N06还具有高雪崩能量耐受能力，增强了器件在瞬态条件下的可靠性。这些特性使其成为高效率电源转换系统中理想的功率开关器件。

应用

STW75N06广泛应用于多种电力电子系统中。在开关电源（SMPS）中，它用于主开关或同步整流器，以提高整体效率并减少发热。在DC-DC转换器中，该MOSFET适用于升压（Boost）或降压（Buck）拓扑结构，支持高电流输出。在电机控制和驱动器中，STW75N06可用于H桥结构，实现高效、可靠的电机驱动。此外，该器件也常用于电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）和工业自动化设备中的功率控制部分。由于其高可靠性和优异的导热性能，STW75N06还适用于需要长时间高负载运行的工业设备。