时间：2025/5/10 8:42:46
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SI1904EDH-T1-E3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用 TrenchFET Gen III 技术，旨在降低导通电阻并提高效率。它适用于高密度电源应用和需要高效开关性能的场合。
其封装形式为表面贴装的 DPAK 封装（TO-263），能够提供良好的散热性能和坚固的电气连接能力。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：50A
导通电阻（典型值）：4mΩ
栅极电荷（典型值）：80nC
输入电容（典型值）：2220pF
功耗：340W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
SI1904EDH-T1-E3 的主要特点是低导通电阻、高电流处理能力和快速开关速度。这些特点使得该 MOSFET 非常适合在 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动和多相电源应用中使用。
此外，其低导通电阻有助于减少传导损耗，而较低的栅极电荷则提高了开关效率，使其成为高性能电源转换的理想选择。
该器件还具备出色的热稳定性和抗雪崩能力，能够在恶劣环境下可靠运行。
该 MOSFET 常用于各种电源管理场景，包括但不限于：
1. 服务器和台式电脑中的多相 VRM 应用
2. 电信设备中的 DC-DC 转换
3. 工业电机控制与驱动
4. 开关模式电源（SMPS）
5. 电池管理和保护电路
6. LED 驱动和汽车电子系统中的功率调节
SI1905DS, IRF6612, AO6812
