STW70N10F4 时间：2025/7/22 16:05:34 阅读：13

STW70N10F4是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，专为高效功率转换应用设计，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制和负载管理等领域。该器件采用先进的技术，提供卓越的导通电阻（Rds(on)）性能和高电流处理能力，同时具备良好的热稳定性和可靠性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：100V
　　最大漏极电流（Id）：70A（在25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大9.5mΩ（在10V栅极驱动下）
　　栅极电荷（Qg）：典型值为92nC
　　封装形式：TO-247
　　工作温度范围：-55°C至175°C

特性

STW70N10F4具有低导通电阻，能够显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用先进的SuperFET?技术，使得MOSFET在高压应用中仍能保持出色的开关性能。
　　此外，STW70N10F4具备高雪崩能量承受能力和优秀的热稳定性，适合在恶劣环境下工作。其高栅极电荷特性使其适用于中低频开关应用，同时保持良好的导通性能。
　　该MOSFET采用TO-247封装，具有良好的散热能力，适用于高功率密度设计。此外，其封装材料符合RoHS标准，并具备优异的抗湿热性能，确保长期可靠运行。

应用

STW70N10F4广泛应用于工业电源系统、服务器电源、电信电源、电机驱动、电池充电器、太阳能逆变器、UPS系统、DC-DC转换器以及各类高功率负载管理电路中。
　　由于其出色的导通性能和高电流能力，该器件特别适合用于需要高效率和高可靠性的电源转换系统。例如，在服务器电源和通信设备电源中，STW70N10F4能够有效降低导通损耗并提升整体能效。
　　在电机控制应用中，它能够提供稳定的高电流输出，支持高效电机驱动方案。此外，在新能源系统如光伏逆变器和储能系统中，该MOSFET也表现出良好的性能和可靠性。