STW70N10F4是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能N沟道功率MOSFET,专为高效功率转换应用设计,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机控制和负载管理等领域。该器件采用先进的技术,提供卓越的导通电阻(Rds(on))性能和高电流处理能力,同时具备良好的热稳定性和可靠性。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):100V
最大漏极电流(Id):70A(在25°C)
导通电阻(Rds(on)):最大9.5mΩ(在10V栅极驱动下)
栅极电荷(Qg):典型值为92nC
封装形式:TO-247
工作温度范围:-55°C至175°C
STW70N10F4具有低导通电阻,能够显著降低导通损耗,提高系统效率。该器件采用先进的SuperFET?技术,使得MOSFET在高压应用中仍能保持出色的开关性能。
此外,STW70N10F4具备高雪崩能量承受能力和优秀的热稳定性,适合在恶劣环境下工作。其高栅极电荷特性使其适用于中低频开关应用,同时保持良好的导通性能。
该MOSFET采用TO-247封装,具有良好的散热能力,适用于高功率密度设计。此外,其封装材料符合RoHS标准,并具备优异的抗湿热性能,确保长期可靠运行。
STW70N10F4广泛应用于工业电源系统、服务器电源、电信电源、电机驱动、电池充电器、太阳能逆变器、UPS系统、DC-DC转换器以及各类高功率负载管理电路中。
由于其出色的导通性能和高电流能力,该器件特别适合用于需要高效率和高可靠性的电源转换系统。例如,在服务器电源和通信设备电源中,STW70N10F4能够有效降低导通损耗并提升整体能效。
在电机控制应用中,它能够提供稳定的高电流输出,支持高效电机驱动方案。此外,在新能源系统如光伏逆变器和储能系统中,该MOSFET也表现出良好的性能和可靠性。
STP70NF10Z, IRF3710, FDP7030AL, STW75N10F4