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STW70N10F4 发布时间 时间:2025/7/22 16:05:34 查看 阅读:7

STW70N10F4是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能N沟道功率MOSFET,专为高效功率转换应用设计,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机控制和负载管理等领域。该器件采用先进的技术,提供卓越的导通电阻(Rds(on))性能和高电流处理能力,同时具备良好的热稳定性和可靠性。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):100V
  最大漏极电流(Id):70A(在25°C)
  导通电阻(Rds(on)):最大9.5mΩ(在10V栅极驱动下)
  栅极电荷(Qg):典型值为92nC
  封装形式:TO-247
  工作温度范围:-55°C至175°C

特性

STW70N10F4具有低导通电阻,能够显著降低导通损耗,提高系统效率。该器件采用先进的SuperFET?技术,使得MOSFET在高压应用中仍能保持出色的开关性能。
  此外,STW70N10F4具备高雪崩能量承受能力和优秀的热稳定性,适合在恶劣环境下工作。其高栅极电荷特性使其适用于中低频开关应用,同时保持良好的导通性能。
  该MOSFET采用TO-247封装,具有良好的散热能力,适用于高功率密度设计。此外,其封装材料符合RoHS标准,并具备优异的抗湿热性能,确保长期可靠运行。

应用

STW70N10F4广泛应用于工业电源系统、服务器电源、电信电源、电机驱动、电池充电器、太阳能逆变器、UPS系统、DC-DC转换器以及各类高功率负载管理电路中。
  由于其出色的导通性能和高电流能力,该器件特别适合用于需要高效率和高可靠性的电源转换系统。例如,在服务器电源和通信设备电源中,STW70N10F4能够有效降低导通损耗并提升整体能效。
  在电机控制应用中,它能够提供稳定的高电流输出,支持高效电机驱动方案。此外,在新能源系统如光伏逆变器和储能系统中,该MOSFET也表现出良好的性能和可靠性。

替代型号

STP70NF10Z, IRF3710, FDP7030AL, STW75N10F4

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STW70N10F4参数

  • 其它有关文件STW70N10F4 View All Specifications
  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C65A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C19.5 毫欧 @ 30A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs85nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds5800pF @ 25V
  • 功率 - 最大150W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247-3
  • 包装管件
  • 其它名称497-8797-5