类型：功率MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：200V
　　最大漏极电流（ID）：120A
　　导通电阻（RDS(on)）：5.8mΩ（典型值）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0V~4.0V
　　工作温度范围：-55°C~175°C
　　封装形式：TO-247

T820127504DH 是一款高性能的功率MOSFET，采用了先进的沟槽栅极技术，使其具备非常低的导通电阻和出色的开关性能。该器件的RDS(on)典型值为5.8mΩ，显著降低了导通损耗，提高了系统效率。其最大漏源电压为200V，漏极电流可达120A，适合在高功率密度应用中使用。
　　该MOSFET具备良好的热稳定性和高可靠性，能够在高温环境下稳定运行，工作温度范围为-55°C至175°C，适合工业级和汽车级应用。此外，该器件的栅极阈值电压范围为2.0V至4.0V，确保了良好的栅极驱动兼容性，适用于多种控制电路。
　　封装形式为TO-247，这种封装方式具备良好的散热性能，便于安装在散热片上，适用于高功率应用场合。T820127504DH 在设计上优化了电磁干扰（EMI）特性，有助于减少外部干扰，提高系统的稳定性。

T820127504DH 主要用于需要高效功率管理的电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及电动汽车充电系统等。由于其高耐压能力和大电流承载能力，特别适合用于工业自动化设备、新能源系统和高功率LED照明驱动电路中。
　　在电源转换应用中，T820127504DH 可用于高效率的同步整流电路，提升电源转换效率并减少发热。在电机控制方面，该MOSFET可用于H桥驱动电路，实现高效、快速的电机转向控制。在电池管理系统中，该器件可用于高侧或低侧开关，实现对电池充放电的精确控制。
　　此外，该MOSFET也可用于UPS（不间断电源）、光伏逆变器和储能系统等高可靠性应用，满足对功率器件的高性能需求。

SiHF120N200D, FDPF120N200, STP120N200K5