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STW5NK100Z 发布时间 时间:2025/7/23 5:34:20 查看 阅读:8

STW5NK100Z 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET,主要用于高功率密度和高效率的电源管理系统中。这款MOSFET采用了先进的沟槽栅极技术,提供了优异的导通电阻(Rds(on))性能和快速开关特性,使其适用于诸如DC-DC转换器、电机控制、电源管理和电池充电器等多种应用场景。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):100V
  栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):5A(在25°C时)
  导通电阻(Rds(on)):最大0.85Ω(在Vgs=10V时)
  最大功耗(Ptot):1.4W
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装类型:TO-252(DPAK)

特性

STW5NK100Z 的主要特性之一是其高效的功率处理能力。由于采用了先进的沟槽栅极技术,该器件在导通状态下表现出非常低的Rds(on),从而减少了导通损耗,提高了整体系统效率。此外,该MOSFET具备良好的热稳定性和可靠性,能够在高温环境下稳定运行。
  另一个显著特点是其快速开关能力。STW5NK100Z 具有较短的开关时间和较低的栅极电荷(Qg),这有助于减少开关过程中的能量损耗,提高电源系统的整体效率。这使得它在高频开关应用中表现出色,例如在同步整流器和DC-DC转换器中。
  此外,该器件的封装设计优化了散热性能,使得热量可以有效地从芯片传导到外部环境,从而延长了器件的使用寿命并提高了系统的稳定性。

应用

STW5NK100Z 主要用于需要高效率和高可靠性的功率电子系统中。常见的应用包括电源适配器、DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动器、负载开关和电源管理模块。由于其良好的导通性能和快速的开关特性,它也适用于要求较高的工业控制设备和汽车电子系统,例如电动工具、电动车充电系统和车载逆变器等。
  在消费类电子产品中,STW5NK100Z 也可用于高性能电源管理电路,如笔记本电脑、平板电脑和智能电视的电源模块。在这些应用中,低导通电阻和高效率的特性可以有效减少发热,提高设备的稳定性和续航能力。

替代型号

STW5NK100Z 的替代型号包括STW5NK100Z的封装和电气特性相近的型号,如STW5NK100Z的替代品可以考虑STW5NK100Z的兄弟型号,如STW5NK100Z的Pin-to-Pin兼容器件,例如STW5NK100Z、STW5NK100Z等。此外,一些其他厂商的类似规格器件,如ON Semiconductor的NDS551N和Infineon的BSC059N10NS5,也可以作为替代选择。在选择替代型号时,应确保其电气参数(如最大漏源电压、导通电阻、最大漏极电流等)与原设计要求相符,并进行充分的测试以确保其在目标应用中的性能稳定可靠。

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STW5NK100Z参数

  • 其它有关文件STW5NK100Z View All Specifications
  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列SuperMESH™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)1000V(1kV)
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3.7 欧姆 @ 1.75A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs59nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1154pF @ 25V
  • 功率 - 最大125W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247-3
  • 包装管件
  • 其它名称497-7623-5STW5NK100Z-ND