制造商：Qorvo
　　类型：射频功率晶体管
　　技术：GaAs FET
　　频率范围：2.3 GHz - 2.7 GHz
　　输出功率：41W（典型值）
　　增益：13 dB（典型值）
　　效率：45%（典型值， Drain Efficiency）
　　工作电压：28V
　　封装类型：表面贴装（SMT）
　　封装尺寸：符合TR7X标准
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

QM75041TR7X具备多项先进的性能特性，使其在高频射频功率应用中表现出色。
　　首先，该器件采用GaAs FET技术，提供高线性度和良好的热稳定性，适合在高要求的通信环境中使用。GaAs材料本身具有较高的电子迁移率，使得晶体管能够在高频下工作并保持优异的增益性能。
　　其次，QM75041TR7X在2.3 GHz至2.7 GHz的频率范围内工作，覆盖了常见的无线通信频段，如Wi-Fi 5GHz频段的低段（2.4 GHz ISM频段）以及部分4G LTE频段。这一频率范围使其成为无线基础设施、点对点通信和工业射频系统中的理想选择。
　　此外，该晶体管提供高达41W的输出功率，具有13 dB的典型增益和45%的漏极效率，能够在高功率输出的同时保持较低的功耗和发热，从而提高系统的整体能效和可靠性。
　　最后，QM75041TR7X采用TR7X标准的表面贴装封装，便于自动化生产和高密度PCB布局。其宽泛的工作温度范围（-40°C至+85°C）也确保了其在各种环境条件下的稳定运行。

QM75041TR7X广泛应用于各种高性能射频系统中，特别是在需要高输出功率和高效率的无线通信基础设施领域。例如，该器件可被用于蜂窝基站中的射频功率放大器模块，支持4G LTE和5G NR通信标准的高带宽信号传输。其频率范围也覆盖了Wi-Fi 5GHz频段的部分波段，因此也适用于高性能Wi-Fi接入点和无线回传设备。
　　在工业和商业应用中，QM75041TR7X可用于射频测试设备、雷达系统、点对点微波通信设备以及高功率ISM频段设备。其高线性度和稳定性也使其适用于需要高保真信号放大的应用场景，如广播发射机和专业通信设备。
　　由于其良好的热稳定性和高可靠性，QM75041TR7X还适用于户外和恶劣环境下的射频系统，如远程无线基站、移动通信车和应急通信系统。

QM75041TR7, QPF45041, RFPA2841