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STW4N150 发布时间 时间:2025/6/26 15:16:51 查看 阅读:4

STW4N150 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的 N 沁道晶体管(N-Channel MOSFET)。这款器件采用垂直功率 MOSFET 技术设计,具有高耐压、低导通电阻和快速开关速度等特点,适用于多种高压应用。STW4N150 的额定电压为 1500V,使其成为高压工业电源、电机驱动器以及光伏逆变器等领域的理想选择。
  该器件采用 TO-247 封装形式,便于散热管理和集成到各种电路设计中。

参数

额定电压:1500V
  额定电流:4A
  导通电阻(Rds(on)):最大 35 Ω(在 Vgs = 10V 时)
  栅极电荷(Qg):最大 65 nC
  输入电容(Ciss):最大 1980 pF
  输出电容(Coss):最大 37 pF
  反向传输电容(Crss):最大 34 pF
  最大工作结温范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-247

特性

STW4N150 具有以下显著特点:
  1. 高耐压能力:1500V 的额定电压使其适合高压应用场景,例如高压直流变换器和工业电源系统。
  2. 低导通电阻:在额定条件下,其导通电阻仅为 35 Ω,从而减少了传导损耗并提高了效率。
  3. 快速开关性能:得益于较低的栅极电荷和反向传输电容,STW4N150 可以实现快速开关操作,进一步降低开关损耗。
  4. 宽工作温度范围:支持从 -55°C 到 +175°C 的工作结温范围,适应极端环境条件。
  5. 稳定性与可靠性:经过严格测试,确保在长时间运行中的稳定性和可靠性。

应用

STW4N150 主要应用于以下领域:
  1. 高压 DC/DC 转换器
  2. 工业电源
  3. 太阳能逆变器
  4. 高频开关电源
  5. 电机驱动器
  6. 不间断电源(UPS)系统
  7. 高压电子负载
  由于其高耐压特性和优异的电气性能,STW4N150 在高压电力电子设备中表现出色。

替代型号

STW4N150K, STW4N150M

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STW4N150参数

  • 其它有关文件STW4N150 View All Specifications
  • 特色产品1500V MOSFET Family
  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PowerMESH™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)1500V(1.5kV)
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7 欧姆 @ 2A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs50nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1300pF @ 25V
  • 功率 - 最大160W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247-3
  • 包装管件
  • 其它名称497-5092-5