STW48N60DM2 时间：2025/5/7 9:58:43 阅读：22

STW48N60DM2是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道MOSFET功率晶体管。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种电力电子应用场合。其耐压值为600V，能够承受较高的电压环境，同时具备良好的热稳定性和可靠性。
　　STW48N60DM2广泛用于开关电源、电机驱动、逆变器以及各种工业控制领域，特别适合需要高效能和高可靠性的电路设计。

参数

漏源极击穿电压：600V
　　连续漏极电流：48A
　　导通电阻：0.15Ω
　　栅极电荷：70nC
　　总电容：2300pF
　　最大工作结温：175°C
　　封装类型：TO-247

特性

STW48N60DM2是一款高性能的功率MOSFET，其主要特点包括：
　　1. 高耐压能力：额定电压高达600V，可适应复杂的高压环境，降低系统故障风险。
　　2. 低导通电阻：典型值仅为0.15Ω，有效减少功率损耗，提高整体效率。
　　3. 快速开关性能：栅极电荷较小（70nC），确保高速切换，适合高频应用场景。
　　4. 热稳定性强：最大工作结温可达175°C，能够在极端温度条件下正常运行。
　　5. 封装坚固：采用TO-247封装，散热性能优异，便于安装和维护。
　　6. 可靠性高：通过多项严格测试，确保在长时间使用中保持性能稳定。
　　这些特性使得STW48N60DM2成为众多电力电子应用的理想选择。

应用

STW48N60DM2适用于以下场景：
　　1. 开关电源（SMPS）：用于AC-DC转换器、DC-DC变换器等，提供高效的功率管理。
　　2. 电机驱动：支持各类电机控制应用，例如家用电器中的风扇或泵。
　　3. 工业控制：可用于工业自动化设备中的电源模块和驱动电路。
　　4. 太阳能逆变器：助力太阳能发电系统的能量转换过程，实现绿色能源利用。
　　5. UPS不间断电源：为关键设备提供稳定的后备电力供应。
　　6. 各类高压大电流电路：如焊接设备、电磁炉等，满足复杂负载需求。