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STW48N60DM2 发布时间 时间:2025/5/7 9:58:43 查看 阅读:6

STW48N60DM2是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款N沟道MOSFET功率晶体管。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种电力电子应用场合。其耐压值为600V,能够承受较高的电压环境,同时具备良好的热稳定性和可靠性。
  STW48N60DM2广泛用于开关电源、电机驱动、逆变器以及各种工业控制领域,特别适合需要高效能和高可靠性的电路设计。

参数

漏源极击穿电压:600V
  连续漏极电流:48A
  导通电阻:0.15Ω
  栅极电荷:70nC
  总电容:2300pF
  最大工作结温:175°C
  封装类型:TO-247

特性

STW48N60DM2是一款高性能的功率MOSFET,其主要特点包括:
  1. 高耐压能力:额定电压高达600V,可适应复杂的高压环境,降低系统故障风险。
  2. 低导通电阻:典型值仅为0.15Ω,有效减少功率损耗,提高整体效率。
  3. 快速开关性能:栅极电荷较小(70nC),确保高速切换,适合高频应用场景。
  4. 热稳定性强:最大工作结温可达175°C,能够在极端温度条件下正常运行。
  5. 封装坚固:采用TO-247封装,散热性能优异,便于安装和维护。
  6. 可靠性高:通过多项严格测试,确保在长时间使用中保持性能稳定。
  这些特性使得STW48N60DM2成为众多电力电子应用的理想选择。

应用

STW48N60DM2适用于以下场景:
  1. 开关电源(SMPS):用于AC-DC转换器、DC-DC变换器等,提供高效的功率管理。
  2. 电机驱动:支持各类电机控制应用,例如家用电器中的风扇或泵。
  3. 工业控制:可用于工业自动化设备中的电源模块和驱动电路。
  4. 太阳能逆变器:助力太阳能发电系统的能量转换过程,实现绿色能源利用。
  5. UPS不间断电源:为关键设备提供稳定的后备电力供应。
  6. 各类高压大电流电路:如焊接设备、电磁炉等,满足复杂负载需求。

替代型号

STW49N60DM2, IRFP460, FQA48N65S

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STW48N60DM2参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥84.75000管件
  • 系列MDmesh? DM2
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)600 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)40A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)79 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)70 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±25V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)3250 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)300W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-247-3
  • 封装/外壳TO-247-3