时间：2025/9/2 23:13:47
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2N712是一款常见的N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），广泛用于开关和放大电路中。该器件采用TO-18金属封装，具有良好的热稳定性和高频特性，适用于中等功率的电子电路设计。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流：500mA（连续）
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：20V
导通电阻（Rds(on)）：约1.2Ω（典型值）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-18
2N712 MOSFET具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。其增强型结构使其在零栅极电压下保持关闭状态，适合用于数字开关应用。此外，该器件具有较高的输入阻抗，能够有效减少对前级电路的负载影响，适用于音频放大、电源管理和信号处理等场景。
在使用过程中，2N712需要适当的散热设计，以确保在较高电流下稳定运行。其TO-18封装形式便于手工焊接和安装，适合于原型设计和小批量生产。
2N712常用于低功率开关电路、音频放大器、电源管理系统以及信号处理模块。它也适用于各种通用电子设备，如收音机、放大器、控制电路和小型电源转换器。
2N711, BF245, J309
