时间：2025/5/8 17:25:59
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STW45NM60是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装，具有高击穿电压、低导通电阻和快速开关特性，适用于各种工业和消费类电子应用中的功率转换和电机驱动场景。
STW45NM60的设计旨在提高效率和降低功耗，同时确保在高温和高压环境下的可靠运行。其主要特点包括耐雪崩能力、低栅极电荷以及出色的热性能。
最大漏源电压：600V
连续漏电流：45A
导通电阻（典型值）：0.18Ω
栅极电荷：35nC
总电容（Ciss）：2500pF
开关速度：快速
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-220
STW45NM60具备以下显著特性：
1. 高击穿电压（600V），能够适应多种高压应用场景。
2. 低导通电阻（0.18Ω典型值），有助于减少导通损耗并提高系统效率。
3. 快速开关性能，支持高频开关操作，适合开关电源、DC-DC转换器等应用。
4. 良好的雪崩能力，增强了器件的鲁棒性和可靠性。
5. 高电流处理能力（45A连续漏电流），满足大功率应用需求。
6. 工作温度范围宽（-55℃至+150℃），适应极端环境条件。
7. TO-220封装提供良好的散热性能，便于集成到各种电路设计中。
STW45NM60广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）设计，包括AC-DC和DC-DC转换器。
2. 电机驱动和控制，例如家用电器中的风扇或泵驱动。
3. 逆变器和不间断电源（UPS）系统。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 照明镇流器和其他需要高效功率管理的应用。
由于其高性能指标和可靠性，STW45NM60特别适合要求高效率、高可靠性和紧凑设计的功率电子系统。
STW40NM60, IRFP260N, STP45NF60
