类型：EDO DRAM
　　容量：16 Mbit (1M x 16)
　　封装：44-pin SOJ
　　电源电压：5V ± 10%
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　最大存取时间：75 ns
　　刷新周期：15.6 μs
　　数据总线宽度：16位
　　地址空间：1M
　　输出使能时间（tOE）：4.5 ns 最典型值
　　数据保持时间（tKHKH）：2.5 ns 最小值
　　工作频率：最高约133 MHz（基于时序估算）
　　输入/输出逻辑：TTL 兼容

K4M28163PF-VG75作为一款典型的EDO DRAM器件，具有多项优化于当时计算环境的关键特性。首先，其扩展数据输出（EDO）机制允许在下一个地址周期开始后仍保持当前数据有效，从而实现“重叠”读取操作，有效减少了等待周期，提高了整体数据吞吐率。相比传统的FPM DRAM（Fast Page Mode DRAM），EDO模式可在相同频率下提升约10%-15%的性能表现，这在早期PC架构如486和早期Pentium系统中尤为重要，常用于主内存模块（SIMM/DIMM）的设计。
　　其次，该芯片具备低功耗设计特点，在正常运行和待机状态下均能有效控制电流消耗。其内部采用了CMOS制造工艺，结合自定时刷新电路和低漏电单元结构，使得平均工作电流维持在合理水平，适用于无强制散热条件的封闭式设备。同时，支持CAS Before RAS（CBR）刷新模式，允许系统利用标准控制器自动管理刷新过程，减轻CPU负担并提高系统可靠性。
　　再者，K4M28163PF-VG75拥有出色的噪声抑制能力和信号完整性设计。所有关键控制引脚（如/RAS、/CAS、/WE、/OE）均经过优化布局，减少串扰风险；输入端设有施密特触发器，增强抗干扰能力，尤其适合工业现场等电磁环境复杂的场合。此外，其双列直插式SOJ封装不仅节省空间，还提供优良的焊接可靠性和热循环耐久性，适用于回流焊和波峰焊等多种组装工艺。
　　最后，该器件具备良好的系统兼容性，支持异步读写操作，无需精确匹配系统时钟即可稳定运行。其灵活的片选（/CS）机制允许多颗芯片级联构建更大容量内存阵列，适用于多Bank内存控制器设计。综合来看，这些特性使K4M28163PF-VG75成为上世纪90年代末至本世纪初广泛应用的高性能DRAM解决方案之一。

K4M28163PF-VG75主要应用于需要中等容量快速随机存取存储器的各种电子系统中。最常见的用途是作为早期个人计算机中的主内存组件，尤其是在基于Intel 80486、Pentium及Pentium MMX处理器的主板上，配合72针SIMM内存条使用，提供高效的程序运行空间和数据缓存能力。这类系统通常将多个K4M28163PF-VG75芯片并联以达到所需的内存总量，例如8MB或16MB配置。
　　在工业控制领域，该芯片被广泛用于PLC（可编程逻辑控制器）、人机界面（HMI）、数控机床（CNC）和远程I/O模块中，用于暂存实时采集的数据、执行代码段以及缓冲通信信息。由于其高可靠性和稳定的时序响应，特别适合长时间连续运行的自动化设备。
　　此外，K4M28163PF-VG75也被集成于多种外设设备中，包括激光打印机、多功能传真机、网络交换机和路由器等通信基础设施。在这些设备中，它主要用于存储固件临时解压区、打印队列管理和协议处理缓冲区，保障设备高效响应用户指令。
　　虽然现代消费电子产品已普遍转向更高速的同步DRAM技术，但在某些维修市场、备件替换和老旧系统升级项目中，K4M28163PF-VG75仍然具有实际需求。一些专用测试仪器、医疗设备模块和军事通信终端也可能继续采用该型号以保持原有设计一致性。因此，尽管不再处于技术前沿，其在特定垂直领域的应用价值依然存在。

KM416S2020G-L75
　　HY57V281610HG-7
　　IS42S16100D-7TL