STW34NM60ND 时间：2025/7/23 21:36:45 阅读：8

STW34NM60ND是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的高性能N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于高功率开关和电源管理系统。该器件采用先进的技术制造，具有优异的导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，能够在高温环境下稳定运行。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：34A
　　漏极-源极电压（VDS）：600V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.22Ω
　　功率耗散（Ptot）：125W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-247

特性

STW34NM60ND具有低导通电阻，使得在高电流应用中能够有效降低功率损耗并提高系统效率。此外，该器件具备优异的热稳定性，能够在高功率负载下保持稳定运行，适用于各种恶劣环境条件。
　　其高耐压能力（600V）使其非常适合用于高电压开关电路，例如开关电源（SMPS）、电机控制和照明系统。同时，±20V的栅极-源极电压允许使用较宽范围的驱动电路，提高设计的灵活性。
　　STW34NM60ND采用了先进的封装技术，具有良好的散热性能，确保长时间高负载运行时的可靠性。其TO-247封装形式也便于安装和散热器连接，适合工业级应用需求。

应用

STW34NM60ND广泛应用于多个领域，包括工业电源、开关电源（SMPS）、电机驱动、照明系统、逆变器以及高功率DC-DC转换器等。其高电压和高电流特性使其在电力电子系统中发挥重要作用，有助于提高系统效率和稳定性。
　　在电机控制应用中，该MOSFET可以用于驱动直流电机或无刷电机，实现精确的速度和转矩控制。在照明系统中，STW34NM60ND可用于高频镇流器或LED驱动电路，提高光源系统的能效。
　　此外，该器件还可用于可再生能源系统，如太阳能逆变器和风力发电系统中的功率转换模块。其优异的热性能和可靠性使其成为高要求环境下的理想选择。