您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > STW28N60DM2

STW28N60DM2 发布时间 时间:2025/7/22 22:45:59 查看 阅读:6

STW28N60DM2是一款N沟道增强型功率MOSFET,由STMicroelectronics制造,适用于高功率开关应用。该器件采用先进的MDmesh DM技术,优化了导通损耗和开关损耗之间的平衡,从而提高了整体效率。它广泛应用于工业电源、电动工具、汽车电子和家电等领域。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):600V
  漏极电流(Id):28A(在25°C)
  栅极阈值电压(Vgs(th)):约3V~5V
  导通电阻(Rds(on)):约0.15Ω(最大值)
  功率耗散(Pd):125W
  工作温度范围:-55°C~150°C
  封装形式:TO-247

特性

STW28N60DM2采用了STMicroelectronics的MDmesh DM技术,使得其在高电压下仍具有优异的导通性能和较低的开关损耗。该器件具有较高的雪崩能量承受能力,使其在瞬态负载条件下具有出色的稳定性。此外,该MOSFET具有良好的热稳定性和可靠性,适用于高要求的工业和汽车应用。
  其低导通电阻和快速开关特性,使其在高频开关电源中表现出色。栅极驱动电压范围较宽,支持3.3V、5V和10V驱动,适用于多种控制电路。该器件还具有较低的输入电容,有助于减少开关过程中的能量损耗。

应用

STW28N60DM2适用于多种高功率和高频开关应用,包括开关电源(SMPS)、电机控制、DC-DC转换器、UPS系统、电动工具、家用电器以及工业自动化设备。在汽车电子中,该器件可用于车载充电器、电动助力转向系统(EPS)和电池管理系统(BMS)。此外,该MOSFET也可用于LED照明驱动和太阳能逆变器等新能源应用。

替代型号

STW25N60DM2, STW31N60DM2, STW28NM60NDAG

STW28N60DM2推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

STW28N60DM2资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

STW28N60DM2参数

  • 现有数量139现货
  • 价格1 : ¥33.55000管件
  • 系列MDmesh? DM2
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)600 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)21A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)160 毫欧 @ 10.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)34 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±25V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1500 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)170W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-247-3
  • 封装/外壳TO-247-3