时间：2025/7/22 22:45:59
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STW28N60DM2是一款N沟道增强型功率MOSFET，由STMicroelectronics制造，适用于高功率开关应用。该器件采用先进的MDmesh DM技术，优化了导通损耗和开关损耗之间的平衡，从而提高了整体效率。它广泛应用于工业电源、电动工具、汽车电子和家电等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：600V
漏极电流(Id)：28A（在25°C）
栅极阈值电压(Vgs(th))：约3V～5V
导通电阻(Rds(on))：约0.15Ω（最大值）
功率耗散(Pd)：125W
工作温度范围：-55°C～150°C
封装形式：TO-247
STW28N60DM2采用了STMicroelectronics的MDmesh DM技术，使得其在高电压下仍具有优异的导通性能和较低的开关损耗。该器件具有较高的雪崩能量承受能力，使其在瞬态负载条件下具有出色的稳定性。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性和可靠性，适用于高要求的工业和汽车应用。
其低导通电阻和快速开关特性，使其在高频开关电源中表现出色。栅极驱动电压范围较宽，支持3.3V、5V和10V驱动，适用于多种控制电路。该器件还具有较低的输入电容，有助于减少开关过程中的能量损耗。
STW28N60DM2适用于多种高功率和高频开关应用，包括开关电源（SMPS）、电机控制、DC-DC转换器、UPS系统、电动工具、家用电器以及工业自动化设备。在汽车电子中，该器件可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和电池管理系统（BMS）。此外，该MOSFET也可用于LED照明驱动和太阳能逆变器等新能源应用。
STW25N60DM2, STW31N60DM2, STW28NM60NDAG
