时间：2025/5/23 6:24:10
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LM2302W/SI2302W 是一种基于氮化镓 (GaN) 技术的高效率、高频功率开关器件，广泛应用于电源适配器、快充设备以及工业电源转换领域。它采用了增强型 GaN FET 技术，具备低导通电阻和高开关频率特性，能够显著提升功率密度并降低系统损耗。
该芯片内部集成了驱动电路与保护功能，支持高频 PWM 控制，简化了外围设计。同时，其封装形式紧凑，非常适合对空间要求较高的应用场合。
型号：LM2302W/SI2302W
类型：GaN 功率开关
最大漏源电压(Vds)：200V
连续漏极电流(Id)：10A
导通电阻(Rds(on))：50mΩ
栅极阈值电压(Vgs(th))：1.8V~4.0V
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
封装形式：TO-252/DPAK
1. LM2302W/SI2302W 的核心优势在于其氮化镓材料带来的卓越性能，包括更低的导通电阻和更快的开关速度，使得整体效率大幅提升。
2. 高频操作能力允许使用更小尺寸的磁性元件，从而减小电源系统的体积和重量。
3. 内置多重保护机制，如过温保护、过流保护等，确保在各种工作条件下都能稳定运行。
4. 支持宽输入电压范围，适用于 AC-DC 和 DC-DC 转换场景。
5. 封装紧凑且散热性能良好，便于集成到小型化产品中。
LM2302W/SI2302W 主要用于以下领域：
1. USB-PD 快速充电器
2. 笔记本电脑及手机适配器
3. 开关模式电源(SMPS)
4. 工业级 DC-DC 转换模块
5. LED 照明驱动电路
6. 通信电源和其他高效率电源解决方案
