时间：2025/7/23 13:54:29
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STW22NM60是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的高电压N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高功率开关应用。该器件采用先进的STripFET? F6技术，具有低导通电阻、高耐压能力和出色的热性能，适用于各种高效率电源系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：600V
连续漏极电流（Id）@25°C：17A
漏极电流峰值（Idm）：68A
导通电阻（Rds(on)）：0.22Ω
栅极电荷（Qg）：47nC
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-247
STW22NM60采用先进的STripFET F6技术，具有极低的导通电阻（Rds(on)）和优异的开关性能，这使得该MOSFET在高功率应用中表现出色。器件的高耐压能力（600V）使其适用于高压电源转换系统，同时具备出色的热管理和高可靠性。此外，该器件具有较低的开关损耗，有助于提高系统的整体效率。其封装形式为TO-247，便于安装和散热处理，适用于工业级应用。
STW22NM60在设计上优化了动态性能，减少了开关损耗，并降低了电磁干扰（EMI）。这使其非常适合用于DC-AC逆变器、开关电源（SMPS）、电机控制和高功率LED照明系统等应用。此外，该器件的高电流承载能力和低导通电阻，使其在高温环境下仍能保持稳定运行。
STW22NM60常用于高功率开关电源、DC-AC逆变器、电机驱动器、LED照明系统以及工业自动化设备中的功率控制模块。其优异的性能使其成为需要高效能、高可靠性的电源系统设计的理想选择。
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