STW21NM60N 时间：2025/5/14 17:47:50 阅读：2

STW21NM60N是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用TO-220封装形式，适用于需要高效率和低功耗的开关应用。STW21NM60N的设计特别针对高频开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及电机驱动等应用场景，具有较低的导通电阻和较高的击穿电压特性。
　　此功率MOSFET的最大漏源电压为600V，能够满足大多数高压工业及消费类电子设备的需求。同时，其出色的动态性能使其非常适合于需要快速开关的应用场合。

参数

最大漏源电压：600V
　　连续漏极电流：2.8A
　　导通电阻（Rds(on)）：3.5Ω（典型值，在Vgs=10V时）
　　栅极电荷：45nC（典型值）
　　总电容（Ciss）：2470pF（典型值）
　　工作结温范围：-55℃至+150℃
　　封装形式：TO-220

特性

STW21NM60N具备以下关键特性：
　　1. 高击穿电压（600V），适合高压环境下的应用。
　　2. 低导通电阻（3.5Ω），有助于降低传导损耗并提高系统效率。
　　3. 快速开关能力，支持高频操作，从而减少磁性元件的尺寸和重量。
　　4. 优化的栅极电荷设计，降低了驱动损耗。
　　5. 宽工作温度范围（-55℃至+150℃），保证了在极端条件下的可靠性。
　　6. 符合RoHS标准，环保且适合现代电子产品需求。

应用

STW21NM60N广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）：用于AC-DC或DC-DC转换电路中，提供高效能的功率切换。
　　2. 电机控制：如家用电器中的小型电机驱动，提供精确的电流控制。
　　3. 逆变器：用于将直流电转换为交流电的设备，例如太阳能逆变器。
　　4. LED驱动器：实现高效的LED照明控制。
　　5. 工业自动化设备：包括各种需要高压功率开关的应用场景。