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STW17N62K3 发布时间 时间:2025/7/23 5:05:38 查看 阅读:4

STW17N62K3 是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道功率MOSFET,采用TO-247封装。该器件具有高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性,适用于多种功率转换和电源管理应用。STW17N62K3 的最大漏极电压为650V,最大漏极电流为17A,适用于需要高效率和高可靠性的电源系统。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电压(VDSS):650V
  最大漏极电流(ID):17A
  导通电阻(RDS(on)):0.45Ω(典型值)
  栅极电荷(Qg):42nC
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:TO-247

特性

STW17N62K3 具有以下显著特性:
  首先,该MOSFET采用了先进的平面技术,提供较低的导通损耗和开关损耗,提高了整体能效。其低导通电阻(RDS(on))为0.45Ω,能够有效减少功率损耗并提高系统效率。
  其次,STW17N62K3 设计有良好的热管理能力,能够在高温环境下稳定工作,确保长期运行的可靠性。这使其特别适用于需要连续运行的工业和消费类电子产品。
  此外,该器件具有快速开关能力,栅极电荷(Qg)仅为42nC,有助于降低开关损耗,提高开关频率,从而减小外围元件的尺寸和成本。
  最后,STW17N62K3 具备较高的短路耐受能力,能够在瞬态过载条件下保持稳定工作,提升系统的安全性和稳定性。

应用

STW17N62K3 通常用于以下应用领域:
  1. 电源转换器:如DC-DC转换器、AC-DC电源模块,用于电信设备、服务器和工业控制系统。
  2. 电机驱动:适用于无刷直流电机(BLDC)驱动器和电动工具控制电路。
  3. 照明系统:用于LED驱动器和高亮度照明设备的功率控制。
  4. 家用电器:如电磁炉、微波炉等需要高耐压、高效率功率开关的设备。
  5. 电池管理系统:用于电池充电和放电控制电路,确保电池安全高效运行。

替代型号

STW20N62K3, STW15N62K3

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STW17N62K3参数

  • 其它有关文件STW17N62K3 View All Specifications
  • 标准包装600
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列SuperMESH3™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)620V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C15A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C380 毫欧 @ 7.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs94nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2500pF @ 50V
  • 功率 - 最大190W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247-3
  • 包装管件
  • 其它名称497-10717-5