STW16N40是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款MOSFET设计用于高电流和高电压应用,适用于工业控制、电源管理和汽车电子等多个领域。
类型:N沟道
最大漏源电压(Vds):400V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):16A
导通电阻(Rds(on)):0.22Ω(典型值)
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:TO-247
STW16N40具有低导通电阻,有助于降低功率损耗并提高效率。
该MOSFET支持高电流和高电压,适用于严苛的电力电子应用环境。
其坚固的封装设计和宽广的工作温度范围使其能够在恶劣的工业和汽车环境中稳定工作。
此外,该器件还具备良好的热稳定性和抗雪崩击穿能力,提高了系统的可靠性和耐用性。
STW16N40广泛应用于开关电源(SMPS)、直流-直流转换器、电机控制、逆变器和UPS(不间断电源)系统等电力电子设备中。
在工业自动化和电机驱动领域,该MOSFET能够提供高效的功率控制解决方案。
在汽车电子系统中,它可用于电池管理系统、电动车辆的电力驱动系统以及车载充电器等应用。
STW16NK50Z, STP16NF40, IRF740