STW15NM60N 时间：2025/7/22 14:27:14 阅读：4

STW15NM60N 是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高电压和高功率的应用场合。该器件具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热稳定性，适用于电源管理、电机控制、开关电源（SMPS）等电力电子系统。STW15NM60N采用TO-247封装，具备良好的散热性能，能够在高温环境下稳定运行。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：15A
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：600V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.35Ω（最大）
　　功率耗散（PD）：125W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-247

特性

STW15NM60N具有多个显著的技术特性，使其在功率MOSFET市场中具有竞争力。首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保了在高电流工作条件下仍能保持较低的导通损耗，从而提高整体系统的效率。其次，该器件的漏极-源极击穿电压高达600V，适合在高压环境下使用，能够承受较高的电压应力，提高了系统的可靠性。此外，STW15NM60N采用了先进的平面技术，优化了热管理和封装设计，使得器件在高功耗应用中也能保持良好的稳定性。
　　其栅极驱动特性也经过优化，支持快速开关操作，减少开关损耗，并且具有较高的抗干扰能力，适用于高频开关电源和电机控制应用。TO-247封装形式不仅具备良好的散热性能，还便于安装在散热片上，进一步提高系统的散热效率。该器件还具有较高的短路耐受能力，能够在异常工作条件下提供额外的安全保障。
　　此外，STW15NM60N在设计上充分考虑了电磁干扰（EMI）的控制，通过优化内部结构和布局，减少高频开关过程中产生的电磁噪声，有助于满足电磁兼容性（EMC）标准要求。这使得该器件广泛适用于工业自动化、电源转换器、UPS系统以及白色家电中的电机驱动电路。

应用

STW15NM60N广泛应用于各种高功率和高电压电子系统中。常见应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器、不间断电源（UPS）、工业自动化控制系统以及家用电器中的功率控制模块。在电动汽车充电设备、太阳能逆变器和储能系统中，STW15NM60N也常被用于功率开关电路，以实现高效能的能源转换。由于其优异的热稳定性和高耐压能力，该器件也适用于需要高可靠性的工业和汽车电子系统。