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STW15NM60N 发布时间 时间:2025/7/22 14:27:14 查看 阅读:4

STW15NM60N 是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET,主要用于高电压和高功率的应用场合。该器件具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热稳定性,适用于电源管理、电机控制、开关电源(SMPS)等电力电子系统。STW15NM60N采用TO-247封装,具备良好的散热性能,能够在高温环境下稳定运行。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极电流(ID):15A
  漏极-源极击穿电压(VDS):600V
  栅极-源极电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):0.35Ω(最大)
  功率耗散(PD):125W
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装形式:TO-247

特性

STW15NM60N具有多个显著的技术特性,使其在功率MOSFET市场中具有竞争力。首先,其低导通电阻(RDS(on))确保了在高电流工作条件下仍能保持较低的导通损耗,从而提高整体系统的效率。其次,该器件的漏极-源极击穿电压高达600V,适合在高压环境下使用,能够承受较高的电压应力,提高了系统的可靠性。此外,STW15NM60N采用了先进的平面技术,优化了热管理和封装设计,使得器件在高功耗应用中也能保持良好的稳定性。
  其栅极驱动特性也经过优化,支持快速开关操作,减少开关损耗,并且具有较高的抗干扰能力,适用于高频开关电源和电机控制应用。TO-247封装形式不仅具备良好的散热性能,还便于安装在散热片上,进一步提高系统的散热效率。该器件还具有较高的短路耐受能力,能够在异常工作条件下提供额外的安全保障。
  此外,STW15NM60N在设计上充分考虑了电磁干扰(EMI)的控制,通过优化内部结构和布局,减少高频开关过程中产生的电磁噪声,有助于满足电磁兼容性(EMC)标准要求。这使得该器件广泛适用于工业自动化、电源转换器、UPS系统以及白色家电中的电机驱动电路。

应用

STW15NM60N广泛应用于各种高功率和高电压电子系统中。常见应用包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器、不间断电源(UPS)、工业自动化控制系统以及家用电器中的功率控制模块。在电动汽车充电设备、太阳能逆变器和储能系统中,STW15NM60N也常被用于功率开关电路,以实现高效能的能源转换。由于其优异的热稳定性和高耐压能力,该器件也适用于需要高可靠性的工业和汽车电子系统。

替代型号

STW20NM60N, STP15NK60Z, IRFPC50, FDPF15NM60A

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STW15NM60N参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列MDmesh™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C14A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C299 毫欧 @ 7A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs37nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1250pF @ 50V
  • 功率 - 最大125W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247-3
  • 包装管件
  • 其它名称497-7618-5STW15NM60N-ND