STW14NM50 时间：2025/7/22 16:09:20 阅读：11

STW14NM50 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的N沟道增强型功率MOSFET，专为高电压、高效率的功率应用而设计。该器件采用先进的MESH OVERLAY?技术，能够在高电压工作条件下提供出色的导通电阻和开关性能。STW14NM50广泛用于电源管理、工业电机控制、开关电源（SMPS）、逆变器以及电动工具等应用领域。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：500V
　　最大漏极电流（ID）：14A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.38Ω @ VGS=10V
　　栅极电压（VGS）：±20V
　　功率耗散（PD）：125W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-247

特性

STW14NM50具备多项高性能特性，包括较低的导通电阻，有助于降低导通损耗并提高整体效率。其高耐压能力（500V）使其适用于高电压操作环境，同时具备良好的热稳定性，能够在高功率条件下保持稳定运行。
　　该MOSFET采用了STMicroelectronics的MESH OVERLAY?技术，优化了电场分布，提高了器件的雪崩能力和可靠性。此外，STW14NM50具有快速开关特性，降低了开关损耗，适用于高频开关应用。
　　其封装形式为TO-247，便于散热并支持高功率密度设计。器件的栅极驱动电压范围宽，兼容标准栅极驱动器，简化了电路设计。同时，其具备良好的抗短路能力，提高了系统在异常情况下的可靠性。

应用

STW14NM50常用于多种高功率电子系统中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制、逆变器、不间断电源（UPS）以及工业自动化设备等。其高耐压和低导通电阻特性也使其适用于LED照明驱动、家用电器中的功率控制电路以及电动工具中的电机驱动系统。
　　在工业控制领域，STW14NM50可用于构建高效能的功率开关模块，提升设备的整体能效和稳定性。此外，在新能源领域如太阳能逆变器、储能系统中，该MOSFET也可用于功率转换和能量管理。
　　由于其良好的热性能和高可靠性，STW14NM50也适用于需要长时间运行和高负载的应用场景。