STW14NM50 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)推出的N沟道增强型功率MOSFET,专为高电压、高效率的功率应用而设计。该器件采用先进的MESH OVERLAY?技术,能够在高电压工作条件下提供出色的导通电阻和开关性能。STW14NM50广泛用于电源管理、工业电机控制、开关电源(SMPS)、逆变器以及电动工具等应用领域。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(VDS):500V
最大漏极电流(ID):14A
导通电阻(RDS(on)):0.38Ω @ VGS=10V
栅极电压(VGS):±20V
功率耗散(PD):125W
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装形式:TO-247
STW14NM50具备多项高性能特性,包括较低的导通电阻,有助于降低导通损耗并提高整体效率。其高耐压能力(500V)使其适用于高电压操作环境,同时具备良好的热稳定性,能够在高功率条件下保持稳定运行。
该MOSFET采用了STMicroelectronics的MESH OVERLAY?技术,优化了电场分布,提高了器件的雪崩能力和可靠性。此外,STW14NM50具有快速开关特性,降低了开关损耗,适用于高频开关应用。
其封装形式为TO-247,便于散热并支持高功率密度设计。器件的栅极驱动电压范围宽,兼容标准栅极驱动器,简化了电路设计。同时,其具备良好的抗短路能力,提高了系统在异常情况下的可靠性。
STW14NM50常用于多种高功率电子系统中,例如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机控制、逆变器、不间断电源(UPS)以及工业自动化设备等。其高耐压和低导通电阻特性也使其适用于LED照明驱动、家用电器中的功率控制电路以及电动工具中的电机驱动系统。
在工业控制领域,STW14NM50可用于构建高效能的功率开关模块,提升设备的整体能效和稳定性。此外,在新能源领域如太阳能逆变器、储能系统中,该MOSFET也可用于功率转换和能量管理。
由于其良好的热性能和高可靠性,STW14NM50也适用于需要长时间运行和高负载的应用场景。
STW15NM50, STW17NM50, STW20NM50