您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > STW14NM50

STW14NM50 发布时间 时间:2025/7/22 16:09:20 查看 阅读:4

STW14NM50 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)推出的N沟道增强型功率MOSFET,专为高电压、高效率的功率应用而设计。该器件采用先进的MESH OVERLAY?技术,能够在高电压工作条件下提供出色的导通电阻和开关性能。STW14NM50广泛用于电源管理、工业电机控制、开关电源(SMPS)、逆变器以及电动工具等应用领域。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(VDS):500V
  最大漏极电流(ID):14A
  导通电阻(RDS(on)):0.38Ω @ VGS=10V
  栅极电压(VGS):±20V
  功率耗散(PD):125W
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装形式:TO-247

特性

STW14NM50具备多项高性能特性,包括较低的导通电阻,有助于降低导通损耗并提高整体效率。其高耐压能力(500V)使其适用于高电压操作环境,同时具备良好的热稳定性,能够在高功率条件下保持稳定运行。
  该MOSFET采用了STMicroelectronics的MESH OVERLAY?技术,优化了电场分布,提高了器件的雪崩能力和可靠性。此外,STW14NM50具有快速开关特性,降低了开关损耗,适用于高频开关应用。
  其封装形式为TO-247,便于散热并支持高功率密度设计。器件的栅极驱动电压范围宽,兼容标准栅极驱动器,简化了电路设计。同时,其具备良好的抗短路能力,提高了系统在异常情况下的可靠性。

应用

STW14NM50常用于多种高功率电子系统中,例如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机控制、逆变器、不间断电源(UPS)以及工业自动化设备等。其高耐压和低导通电阻特性也使其适用于LED照明驱动、家用电器中的功率控制电路以及电动工具中的电机驱动系统。
  在工业控制领域,STW14NM50可用于构建高效能的功率开关模块,提升设备的整体能效和稳定性。此外,在新能源领域如太阳能逆变器、储能系统中,该MOSFET也可用于功率转换和能量管理。
  由于其良好的热性能和高可靠性,STW14NM50也适用于需要长时间运行和高负载的应用场景。

替代型号

STW15NM50, STW17NM50, STW20NM50

STW14NM50推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

STW14NM50资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

STW14NM50参数

  • 标准包装600
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列MDmesh™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)550V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C14A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C350 毫欧 @ 6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs38nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1000pF @ 25V
  • 功率 - 最大175W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247-3
  • 包装管件
  • 其它名称497-3259-5