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BD645 发布时间 时间:2025/7/23 16:48:57 查看 阅读:10

BD645是一款NPN型中功率晶体管,常用于音频放大和电源控制等应用。该晶体管采用TO-126封装,具有良好的散热性能和稳定的工作特性。BD645晶体管被广泛应用于消费类电子、汽车电子和工业控制设备中。

参数

类型:NPN晶体管
  封装类型:TO-126
  最大集电极电流(Ic):1.5A
  最大集电极-发射极电压(Vce):80V
  最大集电极-基极电压(Vcb):80V
  最大发射极-基极电压(Veb):5V
  最大功耗(Ptot):25W
  工作温度范围:-65°C至+150°C

特性

BD645晶体管具有优异的放大性能和高频响应能力,适合用于音频功率放大器和开关电源电路。该晶体管的增益(hFE)值较高,可以在较小的基极电流下控制较大的集电极电流。BD645还具有良好的热稳定性和耐久性,能够在较宽的温度范围内稳定工作。此外,BD645的封装设计有助于快速散热,延长了晶体管的使用寿命。

应用

BD645晶体管常用于音频放大器、电机控制、电源开关、逆变器以及各种中功率电子电路中。由于其优异的性能和可靠性,BD645也适用于汽车电子系统和工业自动化设备中的功率控制。

替代型号

BD647, BD649, BD646

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  • Silicon NPN Power Transistors
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BD645参数

  • 制造商Bourns
  • 产品种类Transistors Darlington
  • 配置Single
  • 晶体管极性NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO60 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO5 V
  • 集电极—基极电压 VCBO80 V
  • 最大直流电集电极电流8 A
  • 最大集电极截止电流200 uA
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-220
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min750
  • 最小工作温度- 65 C
  • 工厂包装数量50