时间：2025/9/12 14:37:57
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STUP0B3 是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，广泛用于功率控制和开关应用。该器件采用先进的沟槽栅技术，具备低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种中高功率电子系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：110A
功耗（PD）：100W
导通电阻（RDS(on)）：3.2mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C至175°C
STUP0B3 的核心优势在于其低导通电阻和高电流处理能力，这使其在高功率密度应用中表现出色。该器件采用了先进的沟槽栅结构技术，提高了导电效率并减少了开关损耗。此外，STUP0B3 还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，适合用于要求高可靠性和高性能的电源管理系统。
在封装方面，该器件通常采用PowerFLAT或类似的高效散热封装形式，有助于提升散热效率，确保在高负载条件下依然保持良好的工作状态。该MOSFET具备快速开关能力，适用于高频开关电路，同时具备良好的抗冲击电流能力，增强了系统的稳定性和耐久性。
STUP0B3 主要用于汽车电子、工业控制、电源管理、DC-DC转换器、电机驱动和电池管理系统等高功率应用。其高电流承载能力和低导通电阻特别适用于需要高效能功率控制的场景，如电动车辆的电池管理系统、高性能电源供应器和电机控制模块。
STU100N3L, STU110N3F3, STU110N3L3
