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FSS145-TL-E 发布时间 时间:2025/12/28 10:15:06 查看 阅读:16

FSS145-TL-E是一款由Diodes Incorporated生产的表面贴装肖特基势垒二极管,采用SOD-123FL超小型封装。该器件专为高效率、小尺寸电源应用设计,适用于需要低正向电压降和快速开关性能的电路环境。FSS145-TL-E在便携式电子设备和高密度PCB布局中表现出色,因其紧凑的封装和优良的热性能而广泛应用于现代电子产品中。该二极管具备优良的反向击穿电压特性,额定值为40V,能够承受较高的瞬态电压,确保系统在异常条件下仍能保持稳定运行。其低漏电流特性也有助于提升整体系统的能效表现,尤其在电池供电设备中具有重要意义。FSS145-TL-E符合RoHS环保标准,并支持无铅焊接工艺,适用于自动化贴片生产线,具备良好的可制造性和可靠性。
  该器件常用于电源整流、续流二极管、反向极性保护以及DC-DC转换器等应用场景。其高频响应能力使其能够在开关电源(SMPS)中有效减少能量损耗,提高转换效率。此外,SOD-123FL封装具有较小的占位面积和较低的热阻,有助于在高功率密度设计中实现更好的散热管理。总体而言,FSS145-TL-E是一款高性能、高可靠性的肖特基二极管,适合对空间和效率有严格要求的应用领域。

参数

类型:肖特基势垒二极管
  封装/外壳:SOD-123FL
  是否无铅:是
  是否环保:符合RoHS
  最大重复反向电压(VRRM):40V
  最大直流反向电压(VR):40V
  最大正向电流(IF):1A
  峰值正向浪涌电流(IFSM):30A
  最大正向电压降(VF):550mV @ 1A
  最大反向漏电流(IR):500μA @ 40V
  工作结温范围(TJ):-55°C ~ +125°C
  存储温度范围:-55°C ~ +150°C
  热阻结到环境(RθJA):250°C/W
  安装类型:表面贴装(SMD)

特性

FSS145-TL-E具备优异的电学性能和热稳定性,其核心优势之一是低正向电压降,在1A电流下典型值仅为550mV,显著低于传统PN结二极管,从而大幅降低导通损耗,提高电源转换效率。这一特性在电池供电设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中尤为重要,有助于延长续航时间。此外,由于采用肖特基结构,该器件具有极快的开关速度,反向恢复时间几乎可以忽略不计,因此非常适合用于高频开关电路,例如DC-DC升压或降压转换器中的续流和整流功能。
  在可靠性方面,FSS145-TL-E经过严格的制造工艺控制,具备稳定的反向击穿特性和低漏电流表现,在40V反向电压下的最大漏电流仅为500μA,减少了静态功耗并提升了系统安全性。其工作结温范围可达-55°C至+125°C,适应各种严苛的工作环境,包括工业级温度条件。SOD-123FL封装不仅体积小巧(约2.7mm x 1.6mm),还优化了引线框架设计,降低了内部寄生电感和电阻,进一步增强了高频性能和散热能力。
  该器件支持回流焊工艺,兼容现代SMT生产线,具备良好的焊接可靠性和机械强度。同时,产品采用卷带包装(Tape and Reel),便于自动化贴片机使用,提高了生产效率。FSS145-TL-E还通过了多种国际质量认证,确保长期使用的稳定性和一致性。综合来看,这款二极管在性能、尺寸、效率和可靠性之间实现了良好平衡,是现代高集成度电源系统中的理想选择。

应用

FSS145-TL-E广泛应用于各类中小功率电源管理系统中。典型用途包括AC-DC适配器、USB充电器、便携式电子设备的电源轨整流与保护电路。在DC-DC转换器中,它常用作同步整流的辅助二极管或用于防止电感反电动势损坏主控芯片的续流路径。由于其快速响应特性,也适用于高频开关电源(SMPS)中的输出整流环节,帮助减少能量损耗并提升整体效率。
  此外,该器件可用于电池供电系统中的反向极性保护,防止因电池装反导致的设备损坏。在LED驱动电路中,FSS145-TL-E可作为防倒灌二极管使用,保障电流单向流动,提高系统稳定性。工业控制模块、智能家居设备、无线传感器节点等对空间和功耗敏感的应用也普遍采用此类高性能肖特基二极管。得益于其小尺寸封装,FSS145-TL-E特别适合高密度PCB布局,有助于缩小终端产品体积,满足轻薄化设计趋势。

替代型号

SK14

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FSS145-TL-E参数

  • 典型关断延迟时间270 ns
  • 典型接通延迟时间35 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs63 nC V @ -10
  • 典型输入电容值@Vds3490 pF V @ -20
  • 安装类型表面贴装
  • 宽度4.4mm
  • 封装类型SOP 8
  • 尺寸5 x 4.4 x 1.5mm
  • 引脚数目8
  • 最大功率耗散2.9 W
  • 最大栅源电压±20 V
  • 最大漏源电压-45 V
  • 最大漏源电阻值40 m
  • 最大连续漏极电流-8 A
  • 最高工作温度+150 °C
  • 每片芯片元件数目1
  • 类别通用
  • 通道模式增强
  • 通道类型P
  • 配置四漏极、单、三源
  • 长度5mm
  • 高度1.5mm