STUP0B0 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)推出的功率MOSFET器件,主要用于高效率电源管理和功率开关应用。这款MOSFET具有低导通电阻(Rds(on))、高耐压能力以及快速开关特性,适用于各种工业控制、电源转换、电机驱动和电池管理系统。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):100V
漏极电流(Id):120A
导通电阻(Rds(on)):最大值为5.5mΩ @ Vgs=10V
栅极电压(Vgs):±20V
功率耗散(Ptot):300W
工作温度范围:-55°C至175°C
封装形式:TO-247
STUP0B0 具有极低的导通电阻,这使得在高电流工作条件下能够有效降低功率损耗并减少发热。该器件采用了先进的沟槽栅技术,提高了开关速度并降低了开关损耗,从而提升了整体能效。
此外,STUP0B0 设计有高雪崩能量耐受能力,能够在突发电压或电流冲击下保持稳定运行,增强了系统的可靠性和耐用性。其高栅极电压容限(±20V)也确保了在复杂电磁环境中不会轻易受到损坏。
器件的封装形式为TO-247,具备良好的热管理和机械稳定性,适合在高温环境下运行。同时,该封装也便于安装在散热器上,以进一步提升散热效率。STUP0B0 还具备优异的短路保护能力,适用于对可靠性要求较高的工业和汽车应用。
STUP0B0 主要应用于高功率开关电路,例如DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、逆变器、电池管理系统以及各类工业自动化设备中的电源模块。
此外,该MOSFET也广泛用于电动汽车充电系统、太阳能逆变器以及UPS(不间断电源)系统中,作为核心的功率开关元件,发挥高效能和高稳定性的优势。
由于其高可靠性和优异的热性能,STUP0B0 也常被用于汽车电子系统,如车载充电器(OBC)、电机控制器和能量回收系统中。
STP120N10F7-DS, IPP120N10S4-03, IRFP4468PBF