STUP068 时间：2025/9/6 8:31:25 阅读：27

STUP068 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率功率转换和开关应用。该器件采用先进的沟槽栅技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和优异的开关性能，适用于多种高功率密度设计场景，例如DC-DC转换器、电源管理系统和电机控制电路。STUP068 通常采用紧凑的表面贴装封装，有助于节省PCB空间并提升热性能。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：100A（在Tc=25°C时）
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为6.8mΩ（在VGS=10V时）
　　最大功耗（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6 HV

特性

STUP068 的主要特性之一是其极低的导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。该器件采用先进的沟槽栅技术，提供优异的开关性能和更低的开关损耗，适用于高频操作环境。此外，STUP068 具有较高的电流处理能力，其额定连续漏极电流高达100A，适用于高功率应用。
　　该MOSFET的封装设计优化了热性能，确保在高负载条件下仍能保持良好的散热能力。PowerFLAT 5x6 HV封装还具有低热阻特性，有助于提高长期运行的可靠性和稳定性。此外，STUP068 具有良好的抗雪崩能力，能够在极端工作条件下提供更高的安全裕量。
　　该器件还具备优异的栅极电荷（Qg）特性，有助于降低驱动电路的负担，提高整体系统的响应速度和能效。这使其非常适合用于同步整流、高边和低边开关等应用。

应用

STUP068 广泛应用于各种高效率功率电子系统，包括DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、电机驱动器和电源管理单元。其低导通电阻和高电流能力使其成为需要高效能和紧凑设计的电力电子设备的理想选择。
　　在服务器电源、电信设备和工业控制系统中，STUP068 常用于高边和低边开关电路，以提高能量转换效率并减少热量产生。此外，在电动工具、电动车辆和储能系统中，该器件也可用于高电流负载的控制和管理。
　　由于其优异的热性能和可靠性，STUP068 也适用于需要长时间高负载运行的应用场景，例如不间断电源（UPS）、太阳能逆变器和电动汽车充电设备等。