类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：700 V
　　栅源电压（VGS）：±30 V
　　连续漏极电流（ID）：3.0 A（@25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：12 A
　　导通电阻（RDS(on)）：max 2.0 Ω（@VGS=10V）；max 2.5 Ω（@VGS=5V）
　　阈值电压（VGS(th)）：2.0 ~ 4.0 V（@ID=250μA）
　　输入电容（Ciss）：典型值 600 pF（@VDS=25V）
　　输出电容（Coss）：典型值 150 pF（@VDS=25V）
　　反向恢复时间（trr）：典型值 34 ns
　　最大工作结温（Tj）：150 °C
　　封装：TO-277A（SOT-541B）
　　安装类型：表面贴装

3N70G-TM3-T采用先进的高压平面工艺制造，具备出色的电气性能和长期可靠性。其700V的高漏源击穿电压确保了在瞬态过压或线路波动情况下的安全运行，特别适用于离线式开关电源设计，如反激式转换器中的主开关管。该器件在VGS=10V时的典型导通电阻仅为1.8Ω，最大不超过2.0Ω，在同类高压MOSFET中表现出较低的导通损耗，从而提高了系统整体能效。
　　该MOSFET支持5V逻辑驱动，在VGS=5V条件下仍能保持较低的RDS(on)，最大为2.5Ω，这使得它可与低成本PWM控制器直接接口而无需额外的栅极驱动电路，简化了设计复杂度并降低了系统成本。此外，其阈值电压范围为2.0V至4.0V，保证了良好的开启一致性与噪声容限。
　　器件具有较高的栅极输入阻抗和较低的输入/输出电容，典型Ciss为600pF，Coss为150pF，有利于减少开关过程中的驱动损耗和电磁干扰（EMI）。同时，较短的反向恢复时间（trr典型值34ns）降低了体二极管在高频开关下的反向恢复电荷，提升了硬开关应用中的效率表现。
　　TO-277A封装不仅体积小巧（约6.7mm × 5.1mm × 2.3mm），还具备良好的散热性能，通过底部导热片将热量有效传导至PCB，增强了热管理能力。该封装支持回流焊工艺，适用于现代化SMT生产线，提高了组装效率和产品一致性。此外，器件通过AEC-Q101认证的可能性较高（需查证具体批次），具备一定的汽车级应用潜力。
　　3N70G-TM3-T还内置了较强的抗雪崩能量承受能力，能够在突发负载切换或电感放电过程中维持结构完整性，提升了系统的鲁棒性。其最大工作结温达150°C，并配备有可靠的钝化层和金属互连工艺，确保在高温、高湿等恶劣环境下长期稳定运行。综合来看，这款MOSFET在性能、尺寸与可靠性之间实现了良好平衡，是中小功率高压开关应用的理想选择。

3N70G-TM3-T广泛应用于各类中低功率开关电源系统中，尤其适合作为离线式反激变换器的主开关器件，常见于20W至65W范围内的AC-DC适配器、充电器、机顶盒电源模块等消费类电子产品。由于其700V耐压能力，能够兼容全球交流输入电压范围（85VAC ~ 265VAC），非常适合通用输入电源设计。
　　在LED照明领域，该器件常用于隔离式恒流驱动电源中，作为初级侧开关元件，实现高效、稳定的直流输出，满足商业和家居照明对能效与可靠性的要求。其低导通电阻有助于降低发热，延长灯具使用寿命。
　　此外，该MOSFET也适用于待机电源（standby power supply）设计，例如电视、空调、洗衣机等家电中的辅助电源单元，提供持续供电以维持遥控唤醒、时钟显示等功能。这类应用通常要求高效率、低待机功耗和小体积，而3N70G-TM3-T的小型封装和优异开关特性正好契合这些需求。
　　在工业控制设备中，如PLC、传感器供电模块、小型继电器驱动电路等，该器件可用于构建紧凑型DC-DC或AC-DC转换电路。其表面贴装封装便于自动化生产，提升整机良率和一致性。
　　通信设备中的嵌入式电源模块也是其典型应用场景之一，尤其是在空间受限但需保证一定功率输出的场合。凭借良好的热稳定性和抗干扰能力，3N70G-TM3-T可在较为严苛的电磁环境中稳定工作。总之，凡是需要700V耐压、3A以内电流、高效率和小尺寸MOSFET的场合，该器件都具有较强的竞争力。

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　　 "FQP7N80C",
　　 "STP3NK80ZFP",
　　 "KSP7N80E",
　　 "APW7N80E",
　　 "2N70G"
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