STUP062 时间：2025/9/6 9:10:51 阅读：7

STUP062是一款由STMicroelectronics（意法半导体）推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，专为高效率、低损耗的功率转换应用而设计。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻（Rds(on)）和良好的热稳定性，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等多种电力电子应用。STUP062通常采用表面贴装封装（如PowerFLAT或HSDIP），以满足高功率密度和小型化设计的需求。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：180A（在25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.9mΩ（最大值）
　　功率耗散（Ptot）：200W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6
　　安装类型：表面贴装

特性

STUP062具有多个关键性能优势。首先，其极低的导通电阻有助于降低导通损耗，提高系统效率，尤其适用于高电流应用。其次，该器件采用了先进的封装技术，具有良好的热管理和散热能力，能够在高功率条件下保持稳定运行。此外，STUP062具备高雪崩能量耐受能力，能够在极端条件下提供可靠的性能，避免因电压尖峰而导致的损坏。该器件的栅极驱动电压范围宽，兼容常见的10V和12V驱动电路，便于集成到各种功率系统中。同时，其高电流承载能力和快速开关特性，使其适用于高频开关应用，如同步整流、DC-DC转换器和电机驱动器。
　　STUP062还具备优异的抗干扰能力，能够有效抑制电磁干扰（EMI），从而提高系统的稳定性与可靠性。此外，该MOSFET器件的封装设计符合RoHS环保标准，支持绿色电子产品的开发。

应用

STUP062广泛应用于多个领域，包括但不限于：电源管理系统、DC-DC降压和升压转换器、同步整流器、负载开关、电机控制电路、工业自动化设备以及汽车电子系统（如电动助力转向系统、车载充电器等）。此外，该器件还可用于高性能计算设备、服务器电源、电池管理系统（BMS）及光伏逆变器等对效率和可靠性有高要求的应用场景。