STU8N65M5 时间：2025/5/23 13:08:07 阅读：3

STU8N65M5是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件属于MDmesh? M5技术系列，具有高电压和低导通电阻的特点，适用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及电机驱动等应用。STU8N65M5采用TO-220封装形式，能够承受高达650V的漏源极电压，并具备出色的热性能和电气性能。

参数

漏源极电压（Vds）：650V
　　连续漏极电流（Id）：8A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大3.6Ω（在Vgs=10V时）
　　栅极电荷（Qg）：45nC
　　输入电容（Ciss）：2300pF
　　输出电容（Coss）：79pF
　　开关速度：快速恢复
　　工作结温范围：-55℃至+150℃

特性

STU8N65M5采用先进的MDmesh?技术，具备以下显著特点：
　　1. 高击穿电压（650V），适合高压应用环境。
　　2. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提高效率。
　　3. 快速开关能力，能够有效降低开关损耗。
　　4. 较低的栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），提升了整体系统性能。
　　5. 符合RoHS标准，环保且可靠。
　　6. TO-220封装提供良好的散热性能，支持高功率应用。
　　这些特性使得STU8N65M5成为高压开关应用的理想选择。

应用

STU8N65M5广泛应用于需要高效率和高可靠性的电力电子领域，具体包括：
　　1. 开关模式电源（SMPS）设计中的主开关元件。
　　2. DC-DC转换器，用于工业设备或通信基础设施。
　　3. 太阳能逆变器及不间断电源（UPS）系统。
　　4. 电机驱动电路，如家用电器、电动车窗或电动工具。
　　5. PFC（功率因数校正）电路中的关键组件。
　　由于其卓越的性能表现，STU8N65M5能够在多种复杂环境下稳定运行，满足现代电力电子设备对效率和可靠性的严格要求。