时间：2025/6/26 12:18:38
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STU75N3LLH6是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道增强型MOSFET功率晶体管。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种功率转换和电机驱动应用。其封装形式为TO-220FP，适合表面贴装和通孔安装。STU75N3LLH6的主要特点是能够在高频开关条件下提供高效能表现，同时保持较低的热损耗。
这款MOSFET的设计目标是满足消费电子、工业控制以及汽车电子领域中对高效率和可靠性的需求。
最大漏源电压：75V
连续漏极电流：3A
导通电阻（典型值）：90mΩ
栅极电荷：18nC
总功耗：12W
工作结温范围：-55℃至150℃
STU75N3LLH6是一款性能优越的MOSFET器件，主要特性如下：
1. 低导通电阻：该器件在典型工作条件下具有90mΩ的导通电阻，有助于降低功率损耗，提高系统效率。
2. 高开关速度：由于其优化的栅极电荷设计，STU75N3LLH6能够实现快速开关操作，减少开关损耗。
3. 宽工作温度范围：支持从-55℃到150℃的工作结温范围，使其适应各种恶劣环境下的应用。
4. 强大的散热能力：通过TO-220FP封装形式，器件具备良好的散热性能，便于与散热器结合使用。
5. 可靠性高：意法半导体严格的质量控制确保了该产品的长期可靠性。
STU75N3LLH6广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：包括AC-DC适配器、充电器等设备中的功率开关元件。
2. 电机驱动：用于小型直流电机或步进电机的驱动电路。
3. LED照明：作为恒流源或调光控制器中的关键组件。
4. 汽车电子：如电动后视镜、电动车窗等系统的功率管理。
5. 工业自动化：例如可编程逻辑控制器（PLC）、继电器驱动等场景。
STP75NF06L, IRFZ44N
