时间：2025/5/8 19:26:08
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RB501VM-40TE-17 是一款高性能的功率场效应晶体管（MOSFET），主要应用于需要高效能开关和低导通电阻特性的场景。该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET，广泛用于电源管理、电机驱动、DC-DC 转换器以及负载开关等应用中。其卓越的热性能和耐用性使其成为工业及消费电子领域的理想选择。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：20A
导通电阻：1.7mΩ
栅极电荷：65nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TO-247
RB501VM-40TE-17 具有非常低的导通电阻，可显著降低功耗并提升系统效率。此外，该器件具备高雪崩能力和强鲁棒性，在恶劣的工作条件下依然能够保持稳定表现。
其快速开关能力减少了开关损耗，尤其在高频应用中表现出色。同时，优化的热设计确保了即使在高负载条件下也能实现良好的散热性能。
此型号还支持较宽的工作温度范围，适应多种环境需求，适用于工业、汽车和消费类电子市场。
RB501VM-40TE-17 广泛应用于各类电力电子设备中，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. 电机控制和驱动电路中的功率级元件。
3. 高效 DC-DC 转换器的核心组件。
4. 各种负载开关及保护电路。
5. 新能源领域如太阳能逆变器和电池管理系统（BMS）。
