时间：2025/8/6 0:45:42
阅读：8
FDM100-0045SP 是由 Fairchild（飞兆半导体）生产的一款高性能功率MOSFET晶体管，主要用于高功率、高频率的电力电子应用中。该器件采用先进的平面沟槽技术，具备较低的导通电阻和较高的开关速度，适合用于DC-DC转换器、电源管理系统以及电机控制等场景。FDM100-0045SP采用TO-263封装，便于散热并适合高电流工作条件。
类型: N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds): 100V
最大漏极电流(Id): 45A
导通电阻(Rds(on)): 0.022Ω
栅极电荷(Qg): 75nC
最大功耗(Pd): 200W
工作温度范围: -55°C至175°C
封装类型: TO-263
FDM100-0045SP MOSFET具有多项优异特性，包括低导通电阻、高电流能力和快速开关性能。其导通电阻仅为0.022Ω，可以显著降低功率损耗并提高系统效率。该器件的高电流承载能力使其适用于大功率应用场景，如电源转换器和电机驱动器。此外，FDM100-0045SP的快速开关特性减少了开关损耗，有助于提升系统的工作频率和整体性能。其TO-263封装不仅提供了良好的热管理，还简化了在PCB上的安装和散热设计。
该MOSFET的栅极电荷为75nC，意味着在高频开关应用中可以减少驱动电路的负担，提升效率。同时，其最大功耗为200W，能够在较高温度环境下稳定运行。工作温度范围从-55°C到175°C，使其适用于工业级和汽车级应用。FDM100-0045SP的设计兼顾了高性能与高可靠性，是多种功率电子系统中的理想选择。
FDM100-0045SP广泛应用于多种电力电子系统，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机控制器和电池管理系统。由于其高电流能力和低导通电阻，该器件特别适合用于高效能电源管理解决方案。此外，FDM100-0045SP还可用于汽车电子系统，如电动助力转向系统（EPS）和车载充电器，以及工业自动化设备和电源适配器等场景。
FDP100-0045SP, FDS4410, IRF1404, Si4410DY
