STU60G4 时间：2025/9/13 7:17:45 阅读：17

STU60G4 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于STripFET F7系列。该器件采用了先进的沟槽栅技术，优化了导通电阻和开关性能，适用于高效率功率转换系统，如DC-DC转换器、电源管理模块和负载开关应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大连续漏极电流（Id）：180A
　　导通电阻（Rds(on)）：@Vgs=10V时，典型值为2.2mΩ
　　功率耗散（Ptot）：200W
　　封装形式：TO-263（D2PAK）
　　工作温度范围：-55°C至175°C

特性

STU60G4具有低导通电阻（Rds(on)），可显著降低传导损耗，提高系统效率。其采用的STripFET F7技术提供了优异的开关性能，减少了开关过程中的能量损耗，适用于高频操作环境。此外，该器件具有高电流承受能力和良好的热稳定性，能够在高负载条件下保持稳定运行。
　　该MOSFET的封装形式为TO-263（D2PAK），是一种表面贴装封装，具有良好的散热性能，适合高功率密度设计。其工作温度范围广泛，可在-55°C至175°C之间正常工作，适用于工业级和汽车级应用。
　　STU60G4还具备高可靠性，能够承受短时过载和瞬态电压冲击，增强了系统的稳定性和耐用性。此外，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，满足现代电子制造对环保的要求。

应用

STU60G4广泛应用于各类电力电子系统中，包括DC-DC降压/升压转换器、服务器电源、电信电源设备、电池管理系统（BMS）、电机驱动器以及汽车电子系统中的功率控制模块。其优异的导通和开关性能使其成为高效率、高功率密度电源设计的理想选择。在汽车应用中，该器件可用于车载充电器（OBC）、DC-DC转换器和电动助力转向系统等关键部件。