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STU407DH(NON-PB) 发布时间 时间:2025/10/7 6:22:44 查看 阅读:9

STU407DH(NON-PB)是一款由STMicroelectronics(意法半导体)推出的N沟道功率MOSFET,广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等高效率、高频率的电力电子系统中。该器件采用先进的沟槽栅极技术和场效应晶体管设计,具备低导通电阻、高开关速度以及良好的热稳定性,能够在较宽的温度范围内稳定工作。STU407DH(NON-PB)特别适用于需要高效能和紧凑设计的应用场景,如DC-DC转换器、开关电源(SMPS)、照明镇流器以及工业控制设备中的功率开关模块。该型号为非铅(NON-PB)版本,符合RoHS环保标准,适合对环境要求较高的现代电子产品制造。其封装形式通常为TO-252(DPAK),便于散热和安装在PCB上,具有较强的机械稳定性和电气可靠性。器件的栅极阈值电压适中,易于与常见的逻辑电平驱动电路兼容,同时具备较强的抗浪涌能力和雪崩耐受能力,提升了系统在异常工况下的鲁棒性。

参数

类型:N沟道
  漏源电压(Vds):60V
  漏极电流(Id)@25°C:30A
  漏极脉冲电流(Idm):120A
  导通电阻Rds(on)@Vgs=10V:约8.5mΩ
  导通电阻Rds(on)@Vgs=4.5V:约12mΩ
  栅极阈值电压(Vgs(th)):2.0V ~ 4.0V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  输入电容(Ciss):约1900pF
  输出电容(Coss):约500pF
  反向恢复时间(trr):约25ns
  工作结温范围:-55°C ~ +175°C
  封装:TO-252 (DPAK)
  连续漏极电流(Id)@Tc=100°C:约20A

特性

STU407DH(NON-PB)具备出色的电气性能和热管理能力,其核心优势在于极低的导通电阻Rds(on),这显著降低了导通状态下的功率损耗,从而提高了整体系统的能效。该器件在Vgs=10V条件下,Rds(on)低至8.5mΩ,意味着在大电流负载下仍能保持较低的温升,减少对散热系统的依赖。其高电流承载能力(连续30A,脉冲可达120A)使其适用于高功率密度设计,例如电池供电系统、电动工具和便携式设备中的H桥驱动电路。
  此外,该MOSFET采用了优化的沟槽结构设计,有效降低了栅极电荷(Qg)和米勒电荷(Qgd),从而加快了开关速度,减少了开关过程中的能量损耗。这对于高频开关应用(如同步整流和PWM控制)尤为重要。低Qg也意味着驱动电路所需的驱动功率更小,可以使用更低功耗的驱动IC或微控制器直接驱动,简化了外围电路设计。
  器件还具备良好的雪崩能量耐受能力,能够在瞬态过压或感性负载关断时承受一定的电压冲击,避免因二次击穿而导致器件失效。这一特性增强了系统在恶劣工作环境下的可靠性,尤其适用于电机启动、继电器切换等存在较大反电动势的场合。
  STU407DH(NON-PB)的TO-252封装不仅提供了良好的散热路径,还支持表面贴装工艺,便于自动化生产。其引脚布局合理,源极大面积焊盘可有效连接到PCB的地平面,进一步提升散热效率和电磁兼容性。同时,该器件通过了严格的可靠性测试,包括高温反向偏压(HTRB)、高温栅极偏压(HTGB)和温度循环测试,确保长期使用的稳定性。

应用

STU407DH(NON-PB)广泛应用于多种高效率功率转换和控制场景。典型应用包括开关模式电源(SMPS),尤其是在同步降压变换器中作为主开关或同步整流器使用,能够显著提升转换效率并降低发热。在DC-DC转换器中,该器件常用于车载电源系统、通信设备电源模块以及工业电源单元,满足对高电流和高可靠性的需求。
  在电机驱动领域,该MOSFET可用于直流电机、步进电机或无刷直流电机(BLDC)的驱动桥臂,凭借其快速开关特性和低导通损耗,实现精确的速度和扭矩控制。此外,在电池管理系统(BMS)中,该器件可作为充放电控制开关,用于隔离电池组与负载或充电器,保障系统安全。
  其他应用场景还包括LED照明驱动、逆变器、UPS不间断电源、太阳能充电控制器以及家用电器中的功率控制模块。由于其具备良好的抗噪声能力和温度稳定性,也适合在电磁干扰较强或环境温度变化较大的工业环境中使用。

替代型号

STP40NF60,IRF3205,IRF1404,SI4404DY

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