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STTH60AC06CW 发布时间 时间:2025/5/20 19:22:24 查看 阅读:6

STTH60AC06CW是由意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款高压MOSFET晶体管,采用TO-220封装形式。该器件适用于需要高电压和大电流的开关应用场合,具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等优点。
  这款功率MOSFET主要设计用于直流电机控制、电源管理、逆变器和开关模式电源等应用领域,能够提供高效能的电力传输。

参数

最大漏源电压:600V
  连续漏极电流:1.5A
  栅极电荷:30nC
  导通电阻(典型值):1.4Ω
  工作温度范围:-55℃至175℃
  封装形式:TO-220

特性

STTH60AC06CW具有以下主要特性:
  1. 高击穿电压,适用于高电压系统环境。
  2. 低导通电阻,减少功率损耗并提升效率。
  3. 快速开关能力,有助于降低开关损耗。
  4. 具备出色的热稳定性和耐用性,能够在极端温度条件下可靠运行。
  5. 内部设计优化以提高抗干扰性能和EMI特性。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。

应用

STTH60AC06CW适合多种工业和消费类电子应用,包括但不限于以下场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的高频开关。
  2. 直流电机驱动和控制。
  3. 电动工具和其他便携式设备的电源管理。
  4. 太阳能微逆变器和电池管理系统。
  5. LED照明驱动电路。
  6. 各种家电产品中的功率转换模块。

替代型号

IRF840,
  FQP17N60,
  STW96N6,
  IXTP15N60P

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STTH60AC06CW参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥30.61000管件
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • 二极管配置1 对共阴极
  • 技术标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)600 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管)30A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.75 V @ 30 A
  • 速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)40 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏10 μA @ 600 V
  • 工作温度 - 结175°C(最大)
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商器件封装TO-247