时间：2025/5/12 13:59:41
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DMN10H700S-7 是一款来自 Diodes Incorporated 的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 DFN3030-8 封装，具有出色的开关性能和低导通电阻特性，适用于各种高效能的电源管理应用。其设计能够满足高频率开关要求，同时具备较高的耐用性和可靠性。
该器件主要针对消费电子、工业控制以及通信设备等应用领域，适合用作负载开关、同步整流器或 DC-DC 转换器中的关键元件。
最大漏源电压：700V
连续漏极电流：1A
导通电阻（典型值）：2.4Ω
栅极电荷：5nC
总电容：42pF
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
DMN10H700S-7 具有以下显著特性：
1. 高耐压能力：支持高达 700V 的漏源电压，适用于高压环境下的电路设计。
2. 极低的导通电阻：在典型条件下，导通电阻仅为 2.4Ω，可显著降低功耗。
3. 快速开关性能：优化的栅极电荷和总电容使得该器件能够在高频应用中表现出色。
4. 紧凑封装：采用 DFN3030-8 封装，节省 PCB 空间，同时提供良好的散热性能。
5. 高可靠性：经过严格测试，确保在极端温度条件下的稳定运行。
6. ESD 保护：内置静电放电保护功能，提高了器件的抗干扰能力。
DMN10H700S-7 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS)：
- 适配器和充电器
- AC-DC 转换器
2. 电机驱动：
- 家用电器
- 工业控制
3. LED 照明：
- 恒流驱动器
- 调光控制器
4. 电池管理系统：
- 保护电路
- 放电控制
5. 各类负载开关和同步整流电路：
- 数据通信设备
- 消费电子产品
DMN10H700S-7L
DMN10H700S-13
DMN10H700S-13L
