STTH1R02A 时间：2025/7/22 5:46:10 阅读：5

STTH1R02A是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高性能整流二极管，属于超快速恢复二极管（Ultra-Fast Recovery Diode）系列。该器件设计用于高效率、高频开关应用，广泛应用于电源转换器、整流电路、电机驱动、逆变器和工业自动化设备中。STTH1R02A具备较低的正向压降和极短的反向恢复时间，使其在高频率和高功率密度的应用中表现出色。

参数

最大重复峰值反向电压（VRRM）：200 V
　　最大平均整流电流（IF(AV)）：1 A
　　最大正向压降（VF）：1.35 V（在1 A时）
　　最大反向漏电流（IR）：5 μA（在200 V时）
　　反向恢复时间（trr）：35 ns
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +175°C

特性

STTH1R02A具有多个关键性能特性，适用于高频和高效率的电源应用。
　　首先，该器件采用了先进的硅技术，实现了超快的反向恢复时间（trr），典型值为35 ns。这一特性使得它非常适合用于高频开关电源和功率因数校正（PFC）电路中，有助于降低开关损耗并提高整体效率。
　　其次，STTH1R02A的正向压降较低，在1 A的正向电流下，典型值为1.35 V。这不仅减少了导通损耗，也有助于降低器件在高负载下的温升，从而提高系统的可靠性和寿命。
　　此外，该器件的峰值反向电压高达200 V，能够承受较高的电压应力，适用于多种工业和消费类电源应用。其最大平均整流电流为1 A，适合中等功率的应用场景。
　　STTH1R02A采用小型DO-41封装，具有良好的热性能和机械稳定性，适用于自动贴片生产线。其工作温度范围为-55°C至+175°C，确保了在恶劣环境下的稳定运行。
　　最后，该器件的反向漏电流极低，在200 V下仅为5 μA，这有助于减少静态功耗并提高系统的能效。结合其高可靠性和宽温度范围，STTH1R02A适用于多种苛刻环境下的电源管理应用。

应用

STTH1R02A主要用于各种电源转换和整流电路中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器、电机驱动器、逆变器、充电器、功率因数校正（PFC）模块以及工业自动化控制系统。由于其超快恢复时间和低正向压降，它特别适用于高频开关应用，能够有效降低开关损耗并提高系统效率。此外，该器件也可用于信号检测、电压钳位和反向极性保护等电路中。