STTH1R02A是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的高性能整流二极管,属于超快速恢复二极管(Ultra-Fast Recovery Diode)系列。该器件设计用于高效率、高频开关应用,广泛应用于电源转换器、整流电路、电机驱动、逆变器和工业自动化设备中。STTH1R02A具备较低的正向压降和极短的反向恢复时间,使其在高频率和高功率密度的应用中表现出色。
最大重复峰值反向电压(VRRM):200 V
最大平均整流电流(IF(AV)):1 A
最大正向压降(VF):1.35 V(在1 A时)
最大反向漏电流(IR):5 μA(在200 V时)
反向恢复时间(trr):35 ns
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
存储温度范围:-55°C 至 +175°C
STTH1R02A具有多个关键性能特性,适用于高频和高效率的电源应用。
首先,该器件采用了先进的硅技术,实现了超快的反向恢复时间(trr),典型值为35 ns。这一特性使得它非常适合用于高频开关电源和功率因数校正(PFC)电路中,有助于降低开关损耗并提高整体效率。
其次,STTH1R02A的正向压降较低,在1 A的正向电流下,典型值为1.35 V。这不仅减少了导通损耗,也有助于降低器件在高负载下的温升,从而提高系统的可靠性和寿命。
此外,该器件的峰值反向电压高达200 V,能够承受较高的电压应力,适用于多种工业和消费类电源应用。其最大平均整流电流为1 A,适合中等功率的应用场景。
STTH1R02A采用小型DO-41封装,具有良好的热性能和机械稳定性,适用于自动贴片生产线。其工作温度范围为-55°C至+175°C,确保了在恶劣环境下的稳定运行。
最后,该器件的反向漏电流极低,在200 V下仅为5 μA,这有助于减少静态功耗并提高系统的能效。结合其高可靠性和宽温度范围,STTH1R02A适用于多种苛刻环境下的电源管理应用。
STTH1R02A主要用于各种电源转换和整流电路中,包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC适配器、电机驱动器、逆变器、充电器、功率因数校正(PFC)模块以及工业自动化控制系统。由于其超快恢复时间和低正向压降,它特别适用于高频开关应用,能够有效降低开关损耗并提高系统效率。此外,该器件也可用于信号检测、电压钳位和反向极性保护等电路中。
VS-1EHC6T, MUR120, UF1001, HER108