STN4480是一款由意法半导体(STMicroelectronics)推出的N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于各种电源管理和开关电路中。该器件具有低导通电阻(RDS(on))特性,能够在高频率下高效工作,适合用于DC-DC转换器、电机控制、负载开关和电源管理等场景。STN4480采用先进的制造工艺,具备良好的热稳定性和电气性能,同时封装形式多为TO-220或D2PAK,便于散热和安装。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(ID):160A
最大漏源电压(VDS):30V
最大栅源电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):3.5mΩ(典型值,VGS=10V)
最大功耗(PD):200W
工作温度范围:-55°C至175°C
STN4480的核心特性之一是其极低的导通电阻,这显著降低了导通损耗并提高了系统效率。在VGS=10V时,RDS(on)仅为3.5mΩ,使其在高电流应用中表现尤为出色。
该器件的额定漏极电流高达160A,能够承受较大的负载电流,适用于高功率密度设计。同时,其最大漏源电压为30V,适用于中低压功率应用,如电池供电系统、汽车电子和工业控制。
STN4480具有良好的热性能,封装设计优化了散热能力,确保在高功率工作条件下仍能保持稳定运行。其最大功耗为200W,支持在高负载情况下长时间运行。
此外,该MOSFET具备较高的栅极抗干扰能力,栅源电压容限为±20V,使其在复杂的电磁环境中也能稳定工作。内置的体二极管提供了反向电压保护,增强了系统的可靠性。
由于其优异的电气和热性能,STN4480在电源转换、电机驱动和负载开关等应用中表现出色,是许多高性能功率设计的理想选择。
STN4480广泛应用于多个领域,包括但不限于:
1. DC-DC转换器:由于其低导通电阻和高电流能力,STN4480适用于高效同步整流和升压/降压转换器设计。
2. 电机控制:在电机驱动电路中,该MOSFET可作为功率开关,提供高效率和良好的动态响应。
3. 电源管理系统:适用于电池管理系统、电源分配和负载开关控制,尤其在需要高电流能力的场合。
4. 汽车电子:由于其高可靠性和宽工作温度范围,STN4480可用于汽车电源系统、电动助力转向系统(EPS)和车载充电器等应用。
5. 工业自动化:在工业控制系统中,该器件可用于继电器替代、电源管理模块和高功率开关电路。
IRF1404、SiS442DN、PSMN033