型号：STT3490N
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压VDS：30V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID（@25°C）：18A
　　脉冲漏极电流IDM：72A
　　导通电阻RDS(on)（max @ VGS=10V）：4.9mΩ
　　导通电阻RDS(on)（max @ VGS=4.5V）：6.8mΩ
　　阈值电压VGS(th)：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容Ciss：1450pF
　　输出电容Coss：440pF
　　反向传输电容Crss：100pF
　　栅极电荷Qg（typ）：25nC
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装：PowerFLAT 3.3x3.3

STT3490N的核心优势在于其极低的导通电阻RDS(on)，这显著降低了在大电流条件下的导通损耗，从而提升了整体系统的能效。在VGS=10V时，最大RDS(on)仅为4.9mΩ，在同类30V N沟道MOSFET中处于领先水平。这种低RDS(on)特性使得该器件特别适用于电池供电设备中的同步整流或负载开关电路，能够有效减少发热并延长电池续航时间。
　　该器件采用了意法半导体成熟的沟槽栅极技术，不仅提高了载流子迁移率，还增强了器件的热稳定性。同时，其较小的栅极电荷（Qg典型值为25nC）意味着驱动电路所需的能量更少，有助于简化栅极驱动设计并降低驱动损耗。这对于高频开关应用如开关模式电源（SMPS）和DC-DC降压变换器尤为重要，因为它可以减少开关过渡时间，从而降低动态损耗。
　　STT3490N的封装采用PowerFLAT 3.3x3.3mm，底部带有裸露焊盘，能够实现优异的散热性能。通过PCB上的热过孔设计，可将芯片结温有效传导至地层或散热层，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。此外，该封装体积小巧，非常适合空间受限的便携式电子设备，例如智能手机、平板电脑、笔记本电脑电源模块等。
　　该MOSFET具备良好的雪崩耐受能力和抗短路能力，能够在瞬态过压或负载突变情况下维持可靠工作。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）使其可在严苛环境温度下稳定运行，适用于工业自动化、汽车电子外围电路等多种应用场景。此外，器件符合AEC-Q101车规级可靠性标准，进一步拓展了其在车载电源系统中的适用性。
　　STT3490N还具备低阈值电压特性，支持逻辑电平驱动（如3.3V或5V微控制器直接驱动），无需额外的电平转换电路，简化了系统设计复杂度。其输入/输出电容参数经过优化，有助于抑制高频噪声传播，提升EMI性能。综合来看，STT3490N是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于追求高效率与小型化的现代电子系统。

STT3490N主要应用于需要高效能、小尺寸和高电流处理能力的电子系统中。常见用途包括同步整流型DC-DC转换器，特别是在降压（Buck）拓扑结构中作为上下桥臂开关使用，利用其低RDS(on)特性减少功率损耗，提高转换效率。在便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，常用于电池管理系统的充放电控制回路或负载开关，实现对不同功能模块的电源通断管理，以节省能耗。
　　在电机驱动应用中，STT3490N可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路，凭借其快速开关能力和高脉冲电流承载能力，能够精确控制电机转速与方向。此外，在热插拔控制器、电源多路复用器和过流保护电路中，该器件也能发挥出色的响应速度与可靠性。
　　由于其符合AEC-Q101标准，STT3490N也被广泛用于汽车电子系统，例如车身控制模块、车灯驱动、车载信息娱乐系统的电源管理单元等。在工业控制领域，可用于PLC模块、传感器供电电路及小型电源适配器中，提供稳定的功率切换功能。此外，还可作为ORing二极管的理想替代方案，用于冗余电源系统中，避免传统肖特基二极管带来的正向压降损耗问题，提升系统整体效率。

STL3490N
　　IRLHS3490PbF
　　SISS62DN