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MBR10200DC_R2_00001 发布时间 时间:2025/8/14 13:58:54 查看 阅读:20

MBR10200DC_R2_00001 是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的肖特基二极管模块,主要用于高效率电源转换应用。该器件采用双共阴极结构,内置两个独立的肖特基二极管,适用于高频率开关电源、DC-DC转换器以及整流电路等场景。该模块具备低正向压降、高电流承载能力和优良的热性能,适合在高功率密度和高效率要求的应用中使用。

参数

类型:肖特基二极管
  拓扑结构:双共阴极
  最大重复反向电压(VRRM):200V
  最大正向平均电流(IF(AV)):10A
  正向压降(VF):典型值1.35V(在IF=10A时)
  最大反向漏电流(IR):0.1mA(在VR=200V时)
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:D2PAK(TO-263)
  安装类型:表面贴装

特性

MBR10200DC_R2_00001 具备多项优异的电气和热性能。其低正向压降特性有助于降低导通损耗,提高电源转换效率,适用于高效率开关电源和DC-DC转换器。该器件采用双共阴极封装结构,允许两个二极管共享一个公共阴极端子,简化了电路布局并减少了PCB空间占用。此外,其高电流容量(10A)和高反向电压耐受能力(200V)使其适用于多种中高功率应用。
  该模块采用D2PAK(TO-263)封装,具有良好的散热性能,能够在高负载条件下保持稳定工作。其宽广的工作温度范围(-55°C 至 +175°C)使其适用于恶劣环境下的工业和汽车电子应用。此外,MBR10200DC_R2_00001 还具有快速开关特性,能够有效减少开关损耗,提高系统响应速度。
  作为一款表面贴装器件,该模块便于自动化生产装配,提高生产效率。其无铅封装设计符合RoHS环保标准,适用于环保要求较高的电子产品制造。在实际应用中,该器件可有效提升系统的可靠性与稳定性。

应用

MBR10200DC_R2_00001 主要应用于各类电源管理系统和高效率电力电子设备中。常见应用包括高频率开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电池充电器、逆变器、UPS不间断电源系统以及汽车电子中的电源模块。其高效率和低导通损耗特性使其成为电源转换应用中的理想选择,尤其适用于需要高功率密度和高效能表现的工业电源设备。
  此外,该器件还可用于整流电路、输出电压调节电路、同步整流辅助电路以及光伏逆变系统中的旁路保护电路。由于其优异的热性能和稳定的电气参数,该器件在高温环境下依然能保持良好性能,因此也适用于工业自动化控制系统和通信设备中的电源模块。

替代型号

MBR10200CTG、MBR10200CT、MBR10200DCSRG、MBR10200DCSR、SB10200CTR、SB10200CT

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MBR10200DC_R2_00001参数

  • 现有数量765现货
  • 价格1 : ¥7.08000剪切带(CT)800 : ¥3.77323卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 二极管配置1 对共阴极
  • 技术肖特基
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)200 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管)10A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)900 mV @ 5 A
  • 速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏50 μA @ 200 V
  • 工作温度 - 结-65°C ~ 175°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
  • 供应商器件封装TO-263