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STSJ100NH3LL 发布时间 时间:2024/7/26 15:09:35 查看 阅读:281

STSJ100NH3LL采用了ST专有STripFET的最新先进设计规则? 技术。该工艺与独特的金属化技术相结合,实现了SO-8中有史以来最先进的低压MOSFET。改进后的弹头降低了Rthj-c,提高了电流能力。

应用

专为移动pc的高效CPU核心DC/DC转换器而设计和优化

参数

类别:分离式半导体产品
  家庭:MOSFET,GaNFET - 单
  系列:STripFET™
  FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  FET 特点:逻辑电平门
  开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25℃ :3.5 毫欧 @ 12.5A, 10V
  漏极至源极电压(Vdss):30V
  电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:25A
  Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250μA
  闸电荷(Qg) @ Vgs:40nC @ 4.5V
  在 Vds 时的输入电容(Ciss) :4450pF @ 25V
  功率 - 最大:3W
  安装类型:表面贴装
  封装/外壳:8-SOIC(3.9mm 宽),8-eSOIC. 8-HSOIC
  包装:带卷 (TR)
  其它名称:497-5785-2STSJ100NH3LL-ND

特性

典型RDS(开)=0.0032? @ 10伏
  4.5V时最佳RDS(开)x Qg权衡
  开关损耗降低
  低阈值装置
  改进的接线盒热阻

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STSJ100NH3LL参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C25A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3.5 毫欧 @ 12.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs40nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4450pF @ 25V
  • 功率 - 最大3W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm Width)裸露焊盘
  • 供应商设备封装8-SOIC-EP
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称497-5785-6